Ung thư biểu mô tế bào gan là gì? Các công bố khoa học về Ung thư biểu mô tế bào gan

Ung thư biểu mô tế bào gan, còn được gọi là ung thư gan, là một loại ung thư phát triển từ các tế bào trong gan. Ung thư gan thường phân loại thành hai loại chính: ung thư biểu mô gan tế bào thận (HCC) và ung thư biểu mô gan tế bào không thận (intrahepatic cholangiocarcinoma). Ung thư biểu mô gan thường phát triển chậm và không gây ra triệu chứng trong giai đoạn sớm, điều này khiến nó khó phát hiện và thường được chẩn đoán ở giai đoạn tiến sâu khi đã lan ra các phần khác của cơ thể. Ung thư biểu mô tế bào gan là một trong những loại ung thư đáng gờm nhất và chiếm một số lượng lớn ca tử vong do ung thư trên toàn thế giới. Nguyên nhân chính gây ra ung thư gan bao gồm viêm gan mãn tính, nhiễm virus viêm gan B hoặc C, tiếp xúc với các chất độc hại như rượu, thuốc lá và chất gây ung thư khác.
Ung thư biểu mô tế bào gan có hai loại chính:

1. Ung thư biểu mô gan tế bào thận (HCC): Đây là loại ung thư gan phổ biến nhất, chiếm khoảng 75-85% trường hợp. HCC phát triển từ tế bào nang gan (hepatocyte) và thường liên quan đến xơ gan, viêm gan mãn tính, viêm gan virus B, C, tiếp xúc với chất độc hại như rượu và chất gây ung thư khác. Nó thường phát triển chậm và thường không gây ra triệu chứng trong giai đoạn sớm. Khi nó mọc lớn, HCC có thể gây ra những triệu chứng như đau bụng, mệt mỏi, giảm cân, và tăng kích thước của gan.

2. Ung thư biểu mô gan tế bào không thận (intrahepatic cholangiocarcinoma): Đây là loại ung thư gan phát triển từ các mô màng và ống dẫn dịch mật trong gan. Cholangiocarcinoma có thể phát triển trong các vùng khác nhau của gan và có thể lan ra ngoài gan. Nguyên nhân chính gây ra cholangiocarcinoma bao gồm viêm gan mãn tính, các bệnh về đường mật như đóng dục của túi mật hay động mạch vành mật và nhiễm khuẩn gan. Cholangiocarcinoma thường khó phát hiện trong giai đoạn sớm và thường được chẩn đoán ở giai đoạn muộn, khi triệu chứng như mệt mỏi, sức khỏe suy giảm, đau bụng, và tụt khí.

Cả hai loại ung thư gan trên đều có tỷ lệ tăng cao ở những người có các yếu tố rủi ro như xơ gan, nhiễm virus viêm gan B hoặc C, lâu dài tiếp xúc với chất gây ung thư như rượu, thuốc lá, các chất gây ô nhiễm môi trường và di truyền. Việc tiền lệ ung thư gan rõ rệt, như u nang gan, viêm gan mãn tính, nhưng không chỉ những người bị những bệnh trên mới có thể mắc ung thư gan, mà cả những người không có bất kỳ tiền lệ nào cũng có thể mắc.

Danh sách công bố khoa học về chủ đề "ung thư biểu mô tế bào gan":

Genotypic variation in seedling root architectural traits and implications for drought adaptation in wheat (Triticum aestivum L.)
Plant and Soil - Tập 303 - Trang 115-129 - 2007
Ahmad M. Manschadi, Graeme L. Hammer, John T. Christopher, Peter deVoil
Root system characteristics are of fundamental importance to soil exploration and below-ground resource acquisition. Root architectural traits determine the in situ space-filling properties of a root system or root architecture. The growth angle of root axes is a principal component of root system architecture that has been strongly associated with acquisition efficiency in many crop species. The aims of this study were to examine the extent of genotypic variability for the growth angle and number of seminal roots in 27 current Australian and 3 CIMMYT wheat (Triticum aestivum L.) genotypes, and to quantify using fractal analysis the root system architecture of a subset of wheat genotypes contrasting in drought tolerance and seminal root characteristics. The growth angle and number of seminal roots showed significant genotypic variation among the wheat genotypes with values ranging from 36 to 56 (degrees) and 3 to 5 (plant−1), respectively. Cluster analysis of wheat genotypes based on similarity in their seminal root characteristics resulted in four groups. The group composition reflected to some extent the genetic background and environmental adaptation of genotypes. Wheat cultivars grown widely in the Mediterranean environments of southern and western Australia generally had wider growth angle and lower number of seminal axes. In contrast, cultivars with superior performance on deep clay soils in the northern cropping region, such as SeriM82, Baxter, Babax, and Dharwar Dry exhibited a narrower angle of seminal axes. The wheat genotypes also showed significant variation in fractal dimension (D). The D values calculated for the individual segments of each root system suggested that, compared to the standard cultivar Hartog, the drought-tolerant genotypes adapted to the northern region tended to distribute relatively more roots in the soil volume directly underneath the plant. These findings suggest that wheat root system architecture is closely linked to the angle of seminal root axes at the seedling stage. The implications of genotypic variation in the seminal root characteristics and fractal dimension for specific adaptation to drought environment types are discussed with emphasis on the possible exploitation of root architectural traits in breeding for improved wheat cultivars for water-limited environments.
Study of the stability of a kalman-bucy filter subjected to correlated disturbances
Measurement Techniques - Tập 40 - Trang 746-749 - 1997
V. V. Kostrov, S. N. Zhiganov
The stability of a Kalman-Bucy filter that is optimal in the case of filtering of signals against a background of white Gaussian noise and of a filter that is optimal for nonwhite noise from measurements when subjected to the action of correlated disturbances is investigated. The “innovation process” correlation function is calculated and a noise decorrelator is synthesized and subsequently incorporated into the filter structure
On the Integrability of Trigonometric Series
Mathematical Notes - Tập 78 - Trang 437-442 - 2005
S. Yu. Tikhonov
Mrz 2/579, a fast kinetic NMDA channel blocker, reduces the development of morphine tolerance in awake rats
PAIN® - Tập 91 - Trang 201-207 - 2001
Andrea K Houghton, Chris G Parsons, P.Max Headley
Adverse drug reactions and causality assessment in neonates
Reactions - Tập 1815 - Trang 4-4 - 2020
K-electron capture probabilities in the decays of Gd151 and Dy159
Zeitschrift für Physik A Hadrons and nuclei - Tập 260 - Trang 47-56 - 1973
H. Genz, R. E. Wood, J. M. Palms, P. Venugopala Rao
TheK-electron capture probability,P K, in the allowed and non-unique first-forbidden transitions is measured by observing coincidences betweenK x rays and γ rays. The following results are obtained. In Gd151 decayP K to the 349.8 keV level is 0.713 ± 0.015 andP K to the 307.4 keV level is 0.813 ± 0.020. It is also deduced that the decay energyQ EC is 491 −9 +14 keV and the spin of the 307.4 keV level is 7/2. In Dy159 decayP K to the 58.0 keV level is found to be 0.803 ± 0.032.
Synthesis of 1,3- and 1,2,3-functionalized pyrroles via Ir(I)-catalyzed vinylation of allyl alcohols
Chemistry of Heterocyclic Compounds - Tập 53 - Trang 526-531 - 2017
David Alavez-Rosas, Mauricio Maldonado-Domínguez, Oscar González-Antonio, Margarita Romero-Ávila, José Méndez-Stivalet, Blas Flores-Pérez
An efficient method for the preparation of 1,3-disubstituted and 1,2,3-trisubstituted pyrroles was developed through a sequence involving O-vinylation of allyl alcohols followed by Claisen rearrangement and further ozonolysis, concurring in a Paal–Knorr reaction with primary amines. Hg(II) and Ir(I) catalysts and different vinylating reagents were tested. The best results were consistently obtained with the [Ir(cod)Cl]2–vinyl acetate system. The featured methodology gives access to functionalized pyrroles in overall good yields, whose chemical architecture may awake interest for assorted applications.
Racial ideology in predicting social cognitive career variables for Black undergraduates
Journal of Vocational Behavior - Tập 69 - Trang 134-148 - 2006
Angela M. Byars-Winston
Low-temperature processing of shallow junctions using epitaxial and polycrystalline CoSi2
Journal of Electronic Materials - Tập 24 - Trang 863-873 - 1995
Erin C. Jones, Nathan W. Cheung, David B. Fraser
Cobalt disilicide is grown epitaxially on (100) Si from a 15 nm Co/2 nm Ti bilayer by rapid thermal annealing (RTA) at 900°C. Polycrystalline CoSi2 is grown on (100) Si using a 15 nm Co layer and the same annealing condition. Silicide/p+-Si/n-Si diodes are made using the silicide as dopant source:11B+ ions are implanted at 3.5–7.5 kV and activated by RTA at 600–900°C. Shallow junctions with total junction depth (silicide plus p+ region) measured by high-resolution secondaryion mass spectroscopy of 100 nm are fabricated. Areal leakage current densities of 13 nA/cm2 and 2 nA/cm2 at a reverse bias of -5V are obtained for the epitaxial silicide and polycrystalline silicide junctions, respectively, after 700°C post-implant annealing.
Tổng số: 2,924,797   
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 292480