thumbnail

Springer Science and Business Media LLC

SCOPUS (1996-2005)

 

  1092-5783

 

 

Cơ quản chủ quản:  N/A

Phân tích ảnh hưởng

Các bài báo tiêu biểu

The Composition Pulling Effect in MOVPE Grown InGaN on GaN and AlGaN and its TEM Characterization
Tập 2 - Trang 1-12 - 2014
K. Hiramatsu, Y. Kawaguchi, M. Shimizu, N. Sawaki, T. Zheleva, Robert F. Davis, H. Tsuda, W. Taki, N. Kuwano, K. Oki
300°C GaN/AlGaN Heterojunction Bipolar Transistor
Tập 3 - 1998
F. Ren, C. R. Abernathy, J. M. Van Hove, P. P. Chow, R. Hickman, JJ Klaasen, R. F. Kopf, Hyun Cho, K. B. Jung, J. R. La Roche, R. G. Wilson, Jung Han, R. J. Shul, Albert G. Baca, S. J. Pearton
Micro Epitaxial lateral overgrowth of GaN/sapphire by Metal Organic Vapour Phase Epitaxy
Tập 7 - 2002
Éric Frayssinet, B. Beaumont, J. P. Faurie, P. Gibart, Zsolt Makkai, B. Pécz, Pierre Lefèbvre, Pierre Valvin
Review of Structure of Bare and Adsorbate-Covered GaN(0001) Surfaces
- 2002
R. M. Feenstra, John E. Northrup, Jörg Neugebauer
The Effect of the Thermal Boundary Resistance on Self-Heating of AlGaN/GaN HFETs
- 2003
К. А. Филиппов, Alexander A. Balandin
Novel approach to simulation of group-III nitrides growth by MOVPE
- 1999
S. Yu. Karpov, V. G. Prokofyev, E.V. Yakovlev, Р.А. Талалаев, Yu.N. Makarov
Solar-Blind AlGaN Heterostructure Photodiodes
Tập 5 Số 1 - 2000
J.D. Brown, Jizhong Li, Pratul P. Srinivasan, John Matthews, J. F. Schetzina
Preparation of Sapphire for High Quality III-Nitride Growth
- 2000
Jia Cui, Andrew Sun, M. Reshichkov, Feng Yun, A. A. Baski, H. Morkoç̌
GaInN/GaN-Heterostructures and Quantum Wells Grown by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy
Tập 2 - 1997
A. Sohmer, J. Off, H. Bolay, V. Härle, V. Syganow, Jin Seo Im, Volker Wagner, F. Adler, A. Hangleiter, A. Dörnen, Ferdinand Scholz, Daniel Brunner, O. Ambacher, Hubert Lakner
Development of High Power Green Light Emitting Diode Chips
Tập 10 - 2005
Christian Wetzel, T. Detchprobhm