thumbnail

Solid-State Electronics

  0038-1101

 

 

Cơ quản chủ quản:  Elsevier Ltd. , PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD

Lĩnh vực:
Materials ChemistryElectrical and Electronic EngineeringElectronic, Optical and Magnetic MaterialsCondensed Matter Physics

Phân tích ảnh hưởng

Thông tin về tạp chí

 

Các bài báo tiêu biểu

Temperature distribution measurement based on field-programmable gate array embedded ring oscillators
Tập 158 - Trang 16-21 - 2019
Wenjuan Yu, Shiwei Feng, Yamin Zhang, Bangbing Shi
Advanced SOI MOSFETs with buried alumina and ground plane: self-heating and short-channel effects
Tập 48 - Trang 907-917 - 2004
K. Oshima, S. Cristoloveanu, B. Guillaumot, H. Iwai, S. Deleonibus
Effects of dielectric material properties on graphene transistor performance
Tập 109 - Trang 8-11 - 2015
Sung Kyu Jang, Jaeho Jeon, Su Min Jeon, Young Jae Song, Sungjoo Lee
Comparison of p-i-n and n-i-n carbon nanotube FETs regarding high-frequency performance
Tập 53 Số 9 - Trang 935-939 - 2009
D.L. Pulfrey, Li Chen
High frequency properties of silicon-on-insulator and novel depleted silicon materials
Tập 45 - Trang 567-573 - 2001
Mikael Johansson, Jonas Berg, Stefan Bengtsson
Liner schemes of the aluminum damascene interconnection for sub-0.2 μm line pitch metallization
Tập 47 - Trang 1875-1879 - 2003
Sam-Dong Kim, Dae-Gyu Park
Normally-off AlGaN/GaN-based MOS-HEMT with self-terminating TMAH wet recess etching
Tập 141 - Trang 7-12 - 2018
Dong-Hyeok Son, Young‐Woo Jo, Chul‐Ho Won, J. H. Lee, Jae Hwa Seo, Sang‐Heung Lee, Jong-Won Lim, Ji Heon Kim, In Man Kang, S. Cristoloveanu, Jung‐Hee Lee
MOSFET's in the 0°K approximation
Tập 17 Số 11 - Trang 1125-1137 - 1974
S.-H. Wu, R. L. Anderson
Fundamental limitations in microelectronics—I. MOS technology
Tập 15 Số 7 - Trang 819-829 - 1972
M. Hohlfeld, C. Alden Mead