Solid-State Electronics
SCIE-ISI SCOPUS (1960-2023)
0038-1101
Cơ quản chủ quản: Elsevier Ltd. , PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
Lĩnh vực:
Materials ChemistryElectrical and Electronic EngineeringElectronic, Optical and Magnetic MaterialsCondensed Matter Physics
Các bài báo tiêu biểu
Status of silicon carbide (SiC) as a wide-bandgap semiconductor for high-temperature applications: A review
Tập 39 Số 10 - Trang 1409-1422 - 1996
Resistivity, mobility and impurity levels in GaAs, Ge, and Si at 300°K
Tập 11 Số 6 - Trang 599-602 - 1968
A single-frequency approximation for interface-state density determination
Tập 23 Số 9 - Trang 987-993 - 1980
Fine structure of heat flow path in semiconductor devices: A measurement and identification method
Tập 31 Số 9 - Trang 1363-1368 - 1988
Junctionless Nanowire Transistor (JNT): Properties and design guidelines
Tập 65-66 - Trang 33-37 - 2011
A simple expression for band gap narrowing (BGN) in heavily doped Si, Ge, GaAs and GexSi1−x strained layers
Tập 34 Số 5 - Trang 453-465 - 1991