Solid-State Electronics

Công bố khoa học tiêu biểu

* Dữ liệu chỉ mang tính chất tham khảo

Sắp xếp:  
Laser induced cooling of hot electrons in n-InSb by free carrier assisted transitions
Solid-State Electronics - Tập 31 - Trang 493-496 - 1988
L.K. Hanes, D.G. Seiler
Modeling the inversion layer at equilibrium
Solid-State Electronics - Tập 27 - Trang 907-911 - 1984
D.-H. Ju, R.M. Warner
Ion-cleaning damage in (100) GaAs, and its effect on schottky diodes
Solid-State Electronics - Tập 26 - Trang 125-129 - 1983
P. Kwan, K.N. Bhat, J.M. Borrego, S.K. Ghandhi
Theory of width independence for the continuous sheet memory cell
Solid-State Electronics - Tập 8 - Trang 95-102 - 1965
J.R. Richardson, R.R. Haering
45nm/32nm CMOS – Challenge and perspective
Solid-State Electronics - Tập 52 - Trang 1266-1273 - 2008
Kazunari Ishimaru
Current pulses in planar GaAs gunn devices
Solid-State Electronics - Tập 17 - Trang 633-635 - 1974
Andreas Schlachetzki, Egbert Hesse
Observation of negative capacitance in a-SiC:H/a-Si:H UV photodetectors
Solid-State Electronics - Tập 50 - Trang 367-371 - 2006
R. Gharbi, M. Abdelkrim, M. Fathallah, E. Tresso, S. Ferrero, C.F. Pirri, T. Mohamed Brahim
Microwave BARITT diode with retarding field—An investigation
Solid-State Electronics - Tập 20 - Trang 285-289 - 1977
O. Eknoyan
Zum einfluss von temperprozessen auf widerstandsschwankungen in siliziumeinkristallen
Solid-State Electronics - Tập 15 - Trang 1383-1384 - 1972
F. Dannhäuser, J. Krausse, K. Mayer
Combination of selective area sublimation of p-GaN and regrowth of AlGaN for the co-integration of enhancement mode and depletion mode high electron mobility transistors
Solid-State Electronics - Tập 188 - Trang 108210 - 2022
Thi Huong Ngo, Rémi Comyn, Sébastien Chenot, Julien Brault, Benjamin Damilano, Stéphane Vézian, Eric Frayssinet, Flavien Cozette, Nicolas Defrance, François Lecourt, Nathalie Labat, Hassan Maher, Yvon Cordier
Tổng số: 6,729   
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 10