Scholar Hub/Chủ đề/#nhãn áp/
Nhãn áp là một thuật ngữ được sử dụng trong lĩnh vực kỹ thuật và vật lý, nó thể hiện sự khác biệt áp suất giữa hai điểm trong một hệ thống. Nhãn áp được tính bằng cách lấy hiệu áp suất giữa hai điểm và xác định chiều của áp suất. Nếu áp suất tại điểm thứ nhất lớn hơn áp suất tại điểm thứ hai, thì nhãn áp là dương (+). Ngược lại, nếu áp suất tại điểm thứ nhất nhỏ hơn áp suất tại điểm thứ hai, thì nhãn áp là âm (-).
Nhãn áp (pressure differential) là sự khác biệt về áp suất giữa hai điểm trong một hệ thống. Nó cũng được gọi là áp suất chênh lệch. Nhãn áp có thể được tính toán bằng cách lấy hiệu áp suất giữa hai điểm và xác định chiều của áp suất.
Khi hai điểm có áp suất khác nhau, sự chuyển đổi năng lượng có thể xảy ra, thông qua dòng chảy, bơm, máy nén hoặc các thiết bị khác. Nhãn áp thường được sử dụng để đo lường sự chênh lệch áp suất trong các hệ thống dòng chảy, hệ thống cung cấp khí, hệ thống làm lạnh, hệ thống điều hòa không khí và hệ thống đường ống.
Để đảm bảo hoạt động hiệu quả của hệ thống, nhãn áp thường được giám sát và kiểm soát. Nếu nhãn áp quá cao hoặc quá thấp, nó có thể gây ra các vấn đề như suy giảm hiệu suất, hỏng hóc và nguy hiểm cho sự an toàn. Nhãn áp cũng được sử dụng để đánh giá hiệu quả hoạt động của các thiết bị và hệ thống, và để xác định năng lượng tiêu thụ và tiêu thụ của chúng.
Ví dụ, trong hệ thống dòng chảy, nhãn áp có thể cho biết sự chênh lệch áp suất giữa vị trí vào (đầu vào) và vị trí ra (đầu ra) của ống dẫn. Nhãn áp được đo bằng đơn vị áp suất như psi (pound per square inch) hoặc Pa (Pascal), và có thể biểu thị dưới dạng giá trị tuyệt đối hoặc giá trị tương đối so với áp suất chứa đổ vào (átmosfer) hoặc áp suất tĩnh (zero pressure reference).
Hiểu được nhãn áp và kiểm soát chúng là rất quan trọng trong việc thiết kế, xây dựng và vận hành các hệ thống kỹ thuật, đảm bảo hoạt động hiệu quả và bảo đảm an toàn.
Nhãn áp (pressure differential) thường được được đo và biểu thị dưới dạng áp suất tuyệt đối hoặc áp suất tương đối. Dưới đây là thêm một số chi tiết về hai cách biểu thị này:
1. Áp suất tuyệt đối: Áp suất tuyệt đối là áp suất theo giá trị tuyệt đối, không so sánh với áp suất chuẩn như áp suất kích thước (absolute pressure). Thông thường được đo bằng đơn vị áp suất như psi (pound per square inch), bar, Pascal, kilopascal (kPa) hoặc độ mật độ của chất lỏng (mmHg hoặc cmH2O). Khi đo áp suất tuyệt đối, điểm đo thường được so sánh với một điểm tham chiếu, thường là áp suất không khí ở môi trường xung quanh.
2. Áp suất tương đối: Áp suất tương đối (gauge pressure) là áp suất so với áp suất môi trường. Nó được đo bằng cách trừ đi áp suất môi trường khỏi áp suất tuyệt đối. Thông thường được biểu thị bằng đơn vị áp suất như psi (pound per square inch), bar hoặc kilopascal (kPa). Áp suất tương đối thường được đo và sử dụng để giám sát sự thay đổi áp suất trong các hệ thống và thiết bị, ví dụ như áp suất trong hệ thống điều hòa không khí hoặc trong lốp xe.
Trong cả hai trường hợp, nhãn áp có thể được đo và theo dõi bằng các thiết bị đo áp suất như bồn đo áp suất, bộ chuyển đổi áp suất (pressure transducer) hoặc bộ đo áp suất đồng hồ (pressure gauge). Thông tin về nhãn áp có thể giúp giám sát, điều chỉnh và điều khiển áp suất trong hệ thống để đảm bảo hoạt động an toàn và hiệu quả.
Decay and polarization of luminescence pulses in the 336 nm emission band of KI-Tl Applied Physics A: Materials Science and Processing - Tập 28 - Trang 59-62 - 1982
L. Intenberg, G. Brauer
Model predictions for the impurity luminescence center in KI-Tl type crystals are found to agree with experimental results obtained by excitation of KI-Tl at 12K with polarized light pulses in the A and C impurity absorption band. On excitation in the C absorption band, as compared to the A band excitation, a noticeable initial population of the metastable M state has been observed.
Long-term deficits in otolith, canal and optokinetic ocular reflexes of pigmented rats after unilateral vestibular nerve section Experimental Brain Research - Tập 118 - Trang 331-340 - 1998
K. F. Hamann, A. Reber, B. J. M. Hess, N. Dieringer
Static and dynamic otolith, horizontal vestibular and optokinetic ocular reflexes were investigated in pigmented rats 1–6 and more months after unilateral vestibular nerve (UVN) section. Evoked responses were compared with published data from control rats studied under identical conditions. Static lateral tilt of UVN rats in the light evoked a vertical deviation in static eye position that was as large as in controls. In darkness, the evoked responses in UVN rats 6 months after the lesion were consistently smaller than in controls. Linear horizontal acceleration in darkness evoked vertical and torsional response components in UVN rats that were parallel-shifted towards lower gains and larger phase lags. Off-vertical axis rotation on a platform provoked responses that differed markedly from those recorded in intact rats with respect to the bias velocity component. These results suggest a permanent deficiency in the static and dynamic otolith-ocular reflex performance of UVN rats. Ocular responses to horizontal table velocity steps in darkness exhibited a direction-specific asymmetry in UVN rats. Step responses evoked by acceleration towards the intact side were larger in gain and longer in duration than responses evoked by acceleration towards the operated side. When compared with control data, responses to either side were reduced in UVN rats and the velocity store mechanism was barely activated by velocity steps towards the operated side. Responses evoked by horizontal optokinetic stimulation with constant pattern velocities were below control values in either direction. Slow-phase eye velocity saturated at much lower values than in intact rats, particularly during pattern motion towards the intact side. The duration of the optokinetic afternystagmus was asymmetrically reduced with respect to control data. Practically identical reductions in duration were found for vestibulo-ocular responses in the opposite directions. Behaving animals exhibited no obvious impairment in their spontaneous locomotory or exploratory activities. However, each UVN rat was impaired, even 2 years after the lesion, in its postural reaction to being lifted by the tail in the air. This observation suggests the presence of a permanent deficit in static and dynamic otolith-spinal reflexes that may be substituted on the ground by proprioceptive inputs.
Buried Metal/III–V Semiconductor Heteroepitaxy: Approaches to Lattice Matching MRS Online Proceedings Library - Tập 198 - Trang 153-162 - 2011
C. J. Palmstrøm, J. P. Harbison, T. Sands, R. Ramesh, T. G. Finstad, S. Mounier, J. G. Zhu, C. B. Carter, L. T. Florez, V. G. Keramidas
Metallic transition metal aluminides and gallides with the CsCl structure and semi-metallic rare earth monopnictides with the NaCl structure have been grown as buried conducting layers in III-V compound semiconductor heterostructures. The criteria for achieving (100) oriented epitaxial growth on (100)III-V semiconductor surfaces is different for each class of materials. The methods used to achieve III-V/metal/llI-V heteroepitaxial structures are discussed here with emphasis on the different approaches needed for the aluminides or gallides and the monopnictides. Work producing exact lattice matching between the buried metal and surrounding semiconductor layers makes possible the separation of lattice mismatch effects from those due to other interface parameters. Results to date indicate that defect structures in the overgrown semiconductor layers arise more because of differences in crystal symmetry, interface chemistry and bonding across the interface than lattice mismatch.
Effect of biologically active plants used as netst material and the derived benefit to starling nestlings Oecologia - Tập 77 - Trang 174-180 - 1988
Larry Clark, J. Russell Mason
The European starling Sturnus vulgaris preferentially incorporates fresh sprigs of particular plant species for use as nesting material. Chemicals found in these plants may act to reduce pathogen and ectoparasite populations normally found in nest environments. The present experiments were performed to test this Nest Protection Hypothesis. In the fild, we experimentally determined that wild carrot Daucus carota, a plant species preferred as nest material, effectively reduced the number of hematophagous mites found within nests relative to control nests without green vegetation. Chicks from nests containing wild carrot had higher levels of blood hemoglobin than chicks from control nests. However, there were no differences in weight or feather development. In the laboratory, we found that wild carrot and fleabane, Erigeron philadelphicus, (also preferred by starlings as nest material) substantially reduced the emergence of feeding instars of mites, while garlic mustard, Alliaria officinalis, (commonly available but not preferred) had little effect on the emergence of mites. We infer that preferred plant material may act to inhibit feeding or otherwise delay reproduction of mites, thereby reducing risk of anemia to developing nestlings.
Analysis and design of low power SRAM cell using independent gate FinFET Radioelectronics and Communications Systems - Tập 56 - Trang 434-440 - 2013
Vandna Sikarwar, Saurabh Khandelwal, Shyam Akashe
Scaling of bulk MOSFET faces great challenges in nanoscale integration technology by producing short channel effect which leads to increased leakage. FinFET has become the most promising substitute to bulk CMOS technology because of reducing short channel effect. Dual-gate FinFET can be designed either by shorting gates on either side for better performance or both gates can be controlled independently to reduce the leakage and hence power consumption. A six transistor SRAM cell based on independent-gate FinFET technology is described in this paper for simultaneously reducing the active and standby mode power consumption. A work is focused on the independent gate FinFET technology as this mode provides less power consumption, less area consumption and low delay as compared to other modes. Leakage current and power consumption in independent gate FinFET is compared with tied gate or shorted gate FinFET SRAM cell. Moreover, delay has been estimated in presented SRAM cells. Further, leakage reduction technique is applied to independent gate FinFET 6T SRAM cell.
