Eprom là gì? Các công bố khoa học về Eprom

EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) là bộ nhớ không biến đổi có thể lập trình và xóa bằng tia cực tím. Phát triển vào thập niên 1970 bởi Intel, nó đáp ứng nhu cầu lưu trữ dữ liệu bền vững và tái lập trình. Cấu trúc EPROM gồm các transistor MOSFET với các tấm floating gate. Ưu điểm của EPROM là khả năng tái lập trình và lưu trữ dữ liệu an toàn ngay cả khi mất điện, nhưng việc xóa dữ liệu tốn thời gian và yêu cầu cẩn thận trong sử dụng. EPROM dùng trong thiết bị vi điều khiển và công nghiệp.

Giới thiệu về EPROM

EPROM, viết tắt của Erasable Programmable Read-Only Memory, là một loại bộ nhớ không biến đổi được sử dụng trong các thiết bị điện tử. Điểm đặc biệt của EPROM là nó có thể được lập trình và xóa sáng bằng cách sử dụng tia cực tím, cho phép tái sử dụng nhiều lần mà không làm mất dữ liệu khi mất nguồn điện.

Lịch sử phát triển

EPROM được phát triển lần đầu tiên vào thập niên 1970 bởi công ty Intel. Vào thời điểm đó, nhu cầu về một loại bộ nhớ có khả năng lưu trữ dữ liệu bền vững và có thể tái lập trình đã thúc đẩy sự ra đời của EPROM, mở ra một kỷ nguyên mới cho các thiết bị lưu trữ dữ liệu.

Cấu trúc và hoạt động

Bên trong EPROM, mỗi bit của dữ liệu được lưu trữ trong một transistor MOSFET có khả năng bị lập trình. Các tấm cửa floating gate được xếp chồng lên nhau, và bằng cách kích hoạt các điện thế khác nhau, có thể ghi và xóa dữ liệu. Để xóa dữ liệu, EPROM cần được tiếp xúc với ánh sáng tia cực tím trong khoảng 15 đến 20 phút.

Ưu điểm và nhược điểm

Ưu điểm:

  • Có khả năng tái lập trình và xóa dữ liệu, giúp giảm thiểu lãng phí và tiết kiệm chi phí trong việc sản xuất và phát triển các ứng dụng điện tử.
  • Dữ liệu được lưu trữ an toàn ngay cả khi không có điện nguồn, giúp bảo vệ dữ liệu quan trọng khỏi mất mát.

Nhược điểm:

  • Quá trình xóa dữ liệu bằng tia cực tím mất thời gian và đòi hỏi phải tháo thiết bị ra khỏi hệ thống để thực hiện.
  • Xi măng cửa kính bảo vệ rất dễ vỡ, yêu cầu người sử dụng phải cực kỳ cẩn thận trong quá trình vận chuyển và sử dụng.

Ứng dụng của EPROM

EPROM được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực cần đến bộ nhớ không biến đổi nhưng có thể tái lập trình, như trong các thiết bị vi điều khiển, lưu trữ firmware của máy tính, các thiết bị viễn thông và nhiều ứng dụng công nghiệp khác. Khả năng lưu trữ dữ liệu đáng tin cậy và khả năng tái sử dụng đã làm cho EPROM trở thành lựa chọn lý tưởng trong nhiều ứng dụng điện tử.

Kết luận

EPROM đã và đang chứng tỏ vai trò quan trọng trong sự phát triển của công nghệ lưu trữ dữ liệu. Với khả năng tái lập trình, bền vững và tiết kiệm chi phí, EPROM đã trở thành một phần không thể thiếu trong các hệ thống điện tử hiện đại.

Danh sách công bố khoa học về chủ đề "eprom":

Dược động học, tác dụng dược lý và ảnh hưởng hành vi của acepromazine trên ngựa Dịch bởi AI
Journal of Veterinary Pharmacology and Therapeutics - Tập 5 Số 1 - Trang 21-31 - 1982

Sau khi tiêm tĩnh mạch (i.v.), acepromazine được phân bố rộng rãi trong ngựa (Vd= 6,6 lít/kg) và gắn chặt (>99%) vào protein huyết tương. Mức độ của thuốc trong huyết tương giảm xuống với pha α có thời gian bán thải là 4,2 phút, trong khi pha β hoặc thời gian bán thải là 184,8 phút. Ở mức liều 0,3 mg/kg, acepromazine có thể được phát hiện trong huyết tương trong 8 giờ sau khi dùng thuốc. Sự phân chia của acepromazine trong máu toàn phần là 46% trong pha huyết tương và 54% trong pha hồng cầu.

Sự tụt xuống của bộ phận sinh dục rõ ràng ở các liều từ 0,01 mg/kg đến 0,4 mg/kg i.v., và thời gian kéo dài và mức độ nhô ra phụ thuộc vào liều dùng. Mức độ hồng cầu giảm đáng kể khi sử dụng 0,002 mg/kg i.v. (khoảng 1 mg cho một con ngựa 500 kg) và tăng liều dẫn đến sự giảm hơn 20% mức độ hồng cầu so với điều kiện kiểm soát. Việc sử dụng acepromazine trước cũng làm giảm tốc độ phản ứng biến thiên (VI 60) ở tất cả các con ngựa được thử nghiệm.

Dữ liệu này cho thấy rằng sự thay đổi của hồng cầu là phản ứng dược lý nhạy cảm nhất đối với acepromazine, tiếp theo là sự thay đổi trong sự kéo dài của bộ phận sinh dục, tốc độ hô hấp, phản ứng VI và phản ứng vận động. Acepromazine khó phát hiện trong huyết tương với liều lượng lâm sàng bình thường. Tuy nhiên, do thể tích phân bố lớn của nó, việc thải ra qua nước tiểu có khả năng kéo dài, và cần thêm nghiên cứu về sự đào thải trong nước tiểu của ngựa.

#acepromazine #ngựa #dược động học #phản ứng dược lý #đào thải #bộ phận sinh dục #hồng cầu #nghiên cứu động vật
Histopathology of the lepromatous skin biopsy
Clinics in Dermatology - Tập 33 Số 1 - Trang 38-45 - 2015
Simultaneous determination of the antipsychotic drugs levomepromazine and clozapine and their main metabolites in human plasma by a HPLC-UV method with solid-phase extraction
Journal of Chromatography B: Analytical Technologies in the Biomedical and Life Sciences - Tập 846 Số 1-2 - Trang 273-280 - 2007
A theoretical model for the current-voltage characteristics of a floating-gate EEPROM cell
IEEE Transactions on Electron Devices - Tập 40 Số 1 - Trang 146-151 - 1993
Analgesic and. anaesthetic properties of levomepromazine (nozina®) (r.p.7044)
Canadian Journal of Anaesthesia - Tập 9 Số 2 - Trang 153-160 - 1962
Immunohistological studies of skin biopsies from patients with lepromatous leprosy
Springer Science and Business Media LLC - - 1983
Quan sát thực nghiệm về quá trình phun điện tích không bay hơi và sự oxi hóa-khử phân tử trong fullerenes C60 và C70 trong thiết bị loại EEPROM Dịch bởi AI
Springer Science and Business Media LLC - - 2004
TÓM TẮT

Giao diện phân tử với CMOS là một lĩnh vực không thể thiếu để cải thiện hiểu biết của chúng ta về thế giới nano. Chúng tôi báo cáo sự tích hợp của fullerenes trong ngăn xếp cổng CMOS và chứng minh một giao diện phân tử chức năng bằng cách thực hiện các hoạt động oxy hóa-khử phân tử thông qua việc phun điện tích không bay hơi trong một thiết bị loại EEPROM. Ngăn xếp cổng của tụ điện MOS gồm có một lớp oxit cách nhiệt xâm nhập. Một lớp mỏng của fullerenes được lắng đọng. Sau đó, lớp oxit điều khiển được lắng đọng và cuối cùng kim loại cổng được định hình. Việc phun điện tích xảy ra tại một điện thế cụ thể của các phân tử fullerene so với dải dẫn của Si tại giao diện Si/SiO2, không phụ thuộc vào nồng độ của lớp mỏng fullerene. Điều này chỉ ra rõ ràng sự oxi hóa-khử phân tử trong trạng thái rắn mà có thể kiểm soát bằng điện trường. Các giao diện phân tử như vậy có thể được sử dụng để cải thiện độ nhạy không gian của các cảm biến hóa học như CνMOS để có thể giao diện với các hệ thống đại phân tử.

#giao diện phân tử #CMOS #fullerenes #oxi hóa-khử #phun điện tích #EEPROM #cảm biến hóa học #CνMOS
Tổng số: 268   
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 10