A 0.5- mu m EEPROM cell using poly-Si TFT technology

IEEE Transactions on Electron Devices - Tập 40 Số 11 - Trang 2126 - 1993
Akira Sato1, Y. Momiyama1, Yasuo Nara1, T. Sugii1, Y. Arimoto1, Tetsuya Ito1
1Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1109/RELPHY.1988.23444

Thông tin
Thông tin xuất bản

IEEE Transactions on Electron Devices

Tập 40 Số 11

2126

Thông tin tác giả