Springer Science and Business Media LLC

Công bố khoa học tiêu biểu

* Dữ liệu chỉ mang tính chất tham khảo

Sắp xếp:  
Negative VCC in MIM capacitors: modeling and experiments
Springer Science and Business Media LLC - Tập 17 - Trang 458-462 - 2017
Aparna Sanal, P. Sathyanarayanan, V. Velmurugan, D. Kannadassan
Correction: Resistance saturation in semi-conducting polyacetylene molecular wires
Springer Science and Business Media LLC - - Trang 1-1 - 2023
Angelo Valli, Jan M. Tomczak
Binary optimization of metallic nano-tube-based absorption coefficient
Springer Science and Business Media LLC - Tập 14 - Trang 486-491 - 2015
Majid Akhlaghi, Hosein Shahmirzaee, Mohammad Hosain Enjavi
Monte Carlo study of carrier transport in two-dimensional transition metal dichalcogenides: high-field characteristics and MOSFET simulation
Springer Science and Business Media LLC - Tập 22 - Trang 1240-1256 - 2023
Sanjay Gopalan, Shoaib Mansoori, Maarten Van de Put, Gautam Gaddemane, Massimo Fischetti
Applicability of Quasi-3D and 3D MOSFET Simulations in the ‘Atomistic’ Regime
Springer Science and Business Media LLC - Tập 2 - Trang 423-426 - 2003
S. Roy, A. Lee, A.R. Brown, A. Asenov
Modeling of FinFET: 3D MC Simulation Using FMM and Unintentional Doping Effects on Device Operation
Springer Science and Business Media LLC - Tập 3 - Trang 337-340 - 2004
Hasanur R. Khan, Dragica Vasileska, S. S. Ahmed, C. Ringhofer, Clemens Heitzinger
A quantum kinetic approach for calculating low-field mobility in black phosphorus crystals and multilayer phosphorene
Springer Science and Business Media LLC - Tập 17 - Trang 1549-1556 - 2018
K. L. Kovalenko, S. I. Kozlovskiy, N. N. Sharan
Fano Resonance Through Quantum Dots in Tunable Aharonov-Bohm Rings
Springer Science and Business Media LLC - Tập 4 - Trang 129-133 - 2005
Y. S. Joe, J. S Kim, E. R. Hedin, R. M. Cosby, A. M. Satanin
Modified differential overlap factor and modal gain equalization criteria-based comparative analysis of 4M-EDFA 980;1480 nm towards identification of a unique erbium doping profile for the 4M-EDFA1480 nm system
Springer Science and Business Media LLC - Tập 22 - Trang 648-668 - 2023
Suhail K. Naik, Gausia Qazi
So sánh MOSFET hai cổng và FinFET bằng mô phỏng Monte Carlo Dịch bởi AI
Springer Science and Business Media LLC - Tập 2 - Trang 85-89 - 2003
Gulzar A. Kathawala, Mohamed Mohamed, Umberto Ravaioli
#MOSFET hai cổng #FinFET #mô phỏng Monte Carlo #hiệu ứng định lượng kích thước #điều chỉnh lượng tử
Tổng số: 1,617   
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 10