IEEE Electron Device Letters

  0741-3106

  1558-0563

  Mỹ

Cơ quản chủ quản:  Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. , IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC

Lĩnh vực:
Electrical and Electronic EngineeringElectronic, Optical and Magnetic Materials

Các bài báo tiêu biểu

High-performance heat sinking for VLSI
Tập 2 Số 5 - Trang 126-129 - 1981
David B. Tuckerman, R. F. W. Pease
30-W/mm GaN HEMTs by Field Plate Optimization
Tập 25 Số 3 - Trang 117-119 - 2004
Yifeng Wu, A. Saxler, M. Moore, R.P. Smith, S.T. Sheppard, P. Chavarkar, T. Wisleder, Umesh K. Mishra, P. Parikh
Elementary scattering theory of the Si MOSFET
Tập 18 Số 7 - Trang 361-363 - 1997
Mark Lundstrom
Power electronics on InAlN/(In)GaN: Prospect for a record performance
Tập 22 Số 11 - Trang 510-512 - 2001
J. Kuzmı́k
High-<tex>$kappa$</tex>/Metal–Gate Stack and Its MOSFET Characteristics
Tập 25 Số 6 - Trang 408-410 - 2004
R. Chau, Suman Datta, M. Doczy, Barry M. Doyle, J. Kavalieros, M. Metz
Improved Synaptic Behavior Under Identical Pulses Using AlO<italic>x</italic>/HfO2Bilayer RRAM Array for Neuromorphic Systems
Tập 37 Số 8 - Trang 994-997 - 2016
Jiyong Woo, Kibong Moon, Jeonghwan Song, Sangheon Lee, Myounghun Kwak, Jaesung Park, Hyunsang Hwang
A Memristor Device Model
Tập 32 Số 10 - Trang 1436-1438 - 2011
Chris Yakopcic, Tarek M. Taha, Guru Subramanyam, Robinson E. Pino, Stanley Rogers
Junctionless Tunnel Field Effect Transistor
Tập 34 Số 5 - Trang 584-586 - 2013
Bahniman Ghosh, Mohammad Waseem Akram
Measurement of temperature in active high-power AlGaN/GaN HFETs using Raman spectroscopy
Tập 23 Số 1 - Trang 7-9 - 2002
Martin Kuball, Joseph M. Hayes, Michael J. Uren, I.R. Martı́n, J.C.H. Birbeck, R.S. Balmer, B.T. Hughes
A field-funneling effect on the collection of alpha-particle-generated carriers in silicon devices
Tập 2 Số 4 - Trang 103-105 - 1981
C. M. Hsieh, P. C. Murley, R. R. O’Brien