Power electronics on InAlN/(In)GaN: Prospect for a record performance

IEEE Electron Device Letters - Tập 22 Số 11 - Trang 510-512 - 2001
J. Kuzmı́k1
1Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Bratislava, Slovakia

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1063/1.371971

10.1049/el:20001193

10.1143/JJAP.38.L984

10.1063/1.119650

10.1109/T-ED.1983.21101

10.1002/1521-396X(200007)180:1<115::AID-PSSA115>3.0.CO;2-A

10.1063/1.371145

10.1016/S0038-1101(99)00146-X

10.1063/1.113295

Thông tin
Thông tin xuất bản

IEEE Electron Device Letters

Tập 22 Số 11

510-512

Thông tin tác giả