30-W/mm GaN HEMTs by Field Plate Optimization

IEEE Electron Device Letters - Tập 25 Số 3 - Trang 117-119 - 2004
Yifeng Wu1, A. Saxler2, M. Moore3, R.P. Smith2, S.T. Sheppard2, P. Chavarkar3, T. Wisleder3, Umesh K. Mishra3, P. Parikh3
1Cree Santa Barbara Technol. Center, Goleta, CA, USA
2Cree Res.Inc., Durham, NC, USA
3Cree Research, Inc., Goleta, CA, USA

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1109/IEDM.2001.979515

10.1109/55.962644

10.1063/1.1490396

10.1109/55.863096

10.1109/LED.2003.812532

10.1049/el:20040017

10.1109/16.936500

10.1109/55.536291

chavarkar, 2002, Group-III Nitride Based High Electron Mobility Transistor (HEMT) With Barrier/Spacer Layer U S Patent Application Publication

10.1063/1.109775

Thông tin
Thông tin xuất bản

IEEE Electron Device Letters

Tập 25 Số 3

117-119

Thông tin tác giả