Applied Physics Letters

Present organic light-emitting diode (OLED) displays, including those on flexible substrates, demonstrate relatively poor contrast due to the reflective metal electrode at the rear of the stack. In this letter we report on the use of a contrast-enhancing optical interference filter to improve the contrast of flexible OLED displays. Some other benefits of using the contrast-enhancing technology are also discussed.

Trong nghiên cứu này, chúng tôi chỉ ra rằng "nanofluid" bao gồm các hạt nano đồng có kích thước nanomet phân tán trong etylene glycol có độ dẫn nhiệt hiệu quả cao hơn nhiều so với etylene glycol nguyên chất hoặc etylene glycol chứa cùng một phân khối lượng hạt nano oxit phân tán. Độ dẫn nhiệt hiệu quả của etylene glycol được cho là đã tăng lên tới 40% đối với nanofluid gồm etylene glycol chứa khoảng 0,3 vol % hạt nano Cu có đường kính trung bình nhỏ hơn 10 nm. Kết quả thu được là bất thường dựa trên các tính toán lý thuyết trước đó đã dự đoán tác động mạnh mẽ của hình dạng hạt lên độ dẫn nhiệt hiệu quả của nanofluid, nhưng không có tác động nào của kích thước hạt hoặc độ dẫn nhiệt của hạt.

The results of high current density implantation of Si and As ions are presented. Significant lattice recovery during implantation is shown to occur as a result of ‘‘dynamic’’ or self-annealing processes. The mechanism for these processes will be discussed. Also, the morphology of the residual damage is shown to depend critically upon the mass of the implanted ion and the current density.

Thin polycrystalline silicon films have been amorphized by silicon ion implantation and subsequently annealed at 525 °C for various lengths of time. Due to channeling of the ion beam through properly oriented polycrystalline grains, a few grains survived the implantation step and acted as seeds for solid phase epitaxial recrystallization of the film. This technique makes it possible to increase the grain size of thin polycrystalline films at very low temperatures.

A detailed microstructural analysis of laterally seeded silicon-on-oxide formed by scanning graphite strip heater recrystallization is presented for the first time. The recrystallized top silicon layer has a (100) orientation, but contains many subgrain boundaries formed by dislocation coalescence. The subgrains are misoriented by <0.3° and have no internal defects. β-SiC contamination of the top silicon layer was detected. It is probably due to particulate contamination from the top graphite strip heater.

We have constructed a scaled-up graphite strip-heater system that permits routine zone-melting recrystallization of 3-in.-diam Si films on SiO2-coated Si wafers. The recrystallized films are similar in crystal quality to those obtained previously in a smaller system, except that they contain higher densities of small protrusions along the subgrain boundaries. Seeded recrystallization has been accomplished by scribing a stripe opening, that extends through the Si and SiO2 films to the Si wafer.

The interaction between flag/flags and fluid is studied numerically and the time-average flow in the wake is analyzed. It is found that a zero-mass flag in uniform flow can not exhibit sustained flapping which only occurs when the mass is involved, while multiple zero-mass flags with small separation settle into sustained flapping state. Furthermore, the nonzero mass is an essential condition for flag/flags to establish the sustained flapping in the case of convectively instable wake, while it is an unnecessary condition for the case of the absolutely instable wake.

Multiferroics that simultaneously exhibit ferroelectricity and ferromagnetism have recently attracted great attention due to their potential application in next generation electronic devices. However, only a few single-phase multiferroic materials exhibit ferroelectric and ferromagnetic orders at room temperature. Recently, some bismuth layer-structured Aurivillius compounds were reported as multiferroics at room temperature, but the origin of their magnetic property is still under debate because the net magnetization may originate from the presence of secondary phases that are not easily detected by laboratory XRD diffractometers. Here, textured Aurivillius phase Bi5.25La0.75FeCoTi3O18 ceramics were prepared by Spark Plasma Sintering. The ferromagnetic character of the ceramics was indicated by the magnetic field-induced reversible intensity changes of a certain set of crystalline planes belonging to the Aurivillius phase, as measured by in situ neutron diffraction under the applied magnetic field. The first principles calculations indicate that the ferromagnetism originates from double exchange interactions Fe3+–O–Fe3+, Co3+–O–Co3+, and Fe3+–O–Co3+ in the ferro-toroidal main phase. The magnetic-controlled ferroelectric domain switching was observed by piezoelectric force microscopy at room temperature. The prepared Aurivillius phase ceramics, with Co/Fe contributing to magnetization and polarization at the same time, can be considered an intrinsic room-temperature multiferroic.

Một bằng chứng gián tiếp được trình bày về khả năng chế tạo các dây lượng tử Si tự do mà không cần sử dụng kỹ thuật lắng đọng epitaxial hoặc quang khắc. Phương pháp mới này sử dụng các bước hòa tan hóa học và điện hóa để tạo ra mạng lưới các dây riêng biệt từ các tấm wafer số lượng lớn. Các lớp Si xốp có độ xốp cao thể hiện sự phát quang màu đỏ có thể nhìn thấy ở nhiệt độ phòng, có thể quan sát bằng mắt thường dưới ánh sáng laser xanh hoặc xanh lam không tập trung <1 mW (<0.1 W cm−2). Điều này được cho là do hiệu ứng kích thước lượng tử hai chiều đáng kể có thể tạo ra sự phát xạ xa trên băng thông của Si tinh thể khối.

Điốt phát sáng (LEDs) ánh sáng xanh kiểu dị thể kép InGaN/AlGaN lớp cường độ sáng cao đạt được cường độ sáng trên 1 cd đã được chế tạo. Một lớp InGaN pha Zn được sử dụng làm lớp hoạt động cho các điốt này. Công suất đầu ra tiêu biểu đạt 1500 μW và hiệu suất lượng tử bên ngoài cao đến 2,7% ở dòng điện tiếp phía trước 20 mA tại nhiệt độ phòng. Bước sóng đỉnh và chiều rộng phổ tại điểm nửa cường độ cực đại của điện phát quang lần lượt là 450 và 70 nm. Giá trị cường độ sáng này là cao nhất từng được báo cáo đối với điốt xanh.