Surface and Interface Analysis

Công bố khoa học tiêu biểu

* Dữ liệu chỉ mang tính chất tham khảo

Sắp xếp:  
Plasma enhanced synthesis of N doped vertically aligned carbon nanofibers on 3D graphene
Surface and Interface Analysis - Tập 51 Số 2 - Trang 290-297 - 2019
Siddharth Mishra, Hung V. Nguyen, Paa Kwasi Adusei, Yu‐Yun Hsieh, Vesselin Shanov
Graphene and carbon nanotubes/fibers (CNT/CNF) hybrid structures are emerging as frontier materials for high‐efficiency electronics, energy storage, thermoelectric, and sensing applications owing to the utilization of extraordinary electrical and physical properties of both nanocarbon materials. Recent advances show a successful improvement in the structure and surface area of layered grap...... hiện toàn bộ
Interpretation of the fragmentation patterns in static SIMS analysis of polymers. Part I. Simple aliphatic hydrocarbons
Surface and Interface Analysis - Tập 11 Số 8 - Trang 430-440 - 1988
W.J. van Ooij, R. H. G. Brinkhuis
AbstractA number of simple aliphatic hydrocarbon polymers have been studied by static SIMS. The low‐mass positive spectra reflect structural differences in the polymeric structure, which result in characteristic fingerprint spectra. Unsaturation and differences in branching lead to very distinct spectral features which show promise for the application of SIMS as an...... hiện toàn bộ
A study on degradation of germanium coating on Kapton used for spacecraft sunshield application
Surface and Interface Analysis - Tập 47 Số 13 - Trang 1155-1160 - 2015
A. Carmel Mary Esther, Arjun Dey, N. Sridhara, B. Yougandar, Parthasarathi Bera, Chinnasamy Anandan, Dinesh Rangappa, Anand Sharma
Sunshield membranes made of germanium‐coated black polyimide (GBP) or Kapton are often used on the reflector/transmitter antenna of satellites for thermal control applications. However, the germanium top layer is prone to degrade during ground storage and implementation. Hence, vacuum/inert gas‐sealed packaging is required for storing the membranes, followed by a staggered fabrication sche...... hiện toàn bộ
Quantitative imaging of inositol distribution in yeast using multi‐isotope imaging mass spectrometry (MIMS)
Surface and Interface Analysis - Tập 46 Số S1 - Trang 169-172 - 2014
Adolfo Saiardi, Christelle Guillermier, Omar Loss, J. Collin Poczatek, C. Lechène
Despite the widely recognized importance of the several species of inositol polyphosphates in cell biology, inositol has not been successfully imaged and quantified inside cells using traditional spectrophotometry. Multi‐isotope imaging mass spectrometry (MIMS) technology, however, has facilitated direct imaging and measurement of cellular inositol. After pulsing cells with inositol labele...... hiện toàn bộ
Characterization of CuInSe2 thin films by XPS
Surface and Interface Analysis - Tập 15 Số 7 - Trang 422-426 - 1990
Esko Niemi, Lars Stolt
AbstractThe surface composition of CuInSe2 thin films, made by co‐evaporation of the elements, has been shown to be strongly dependent on the bulk composition of the films. This is explained by the presence of a secondary phase, most likely Cu2Se, on the surface of Cu‐rich films. The fast variation of the surface concentrat...... hiện toàn bộ
Surface photovoltage spectroscopy of semiconductor structures: at the crossroads of physics, chemistry and electrical engineering
Surface and Interface Analysis - Tập 31 Số 10 - Trang 954-965 - 2001
Leeor Kronik, Yoram Shapira
AbstractThe possibility of obtaining a detailed picture of the electronic structure makes surface photovoltage spectroscopy (SPS) eminently suitable for bridging the gap between the chemical, physical, optical and electrical properties of semiconductors. In SPS, changes in band bending (both at the free semiconductor surface and at buried interfaces) are monitored ...... hiện toàn bộ
Quang phổ electron đỉnh đàn hồi cho quang phổ electron Auger và quang phổ tổn thất năng lượng electron Dịch bởi AI
Surface and Interface Analysis - Tập 3 Số 5 - Trang 201-205 - 1981
György Gergely
Tóm tắtQuang phổ electron đỉnh đàn hồi liên quan đến phổ của các electron thứ cấp trong khu vực gần Ep năng lượng chính và xác định chúng bằng đơn vị tuyệt đối dựa trên tỷ lệ phần trăm Ne của các electron phản xạ đàn hồi. Một quy trình được mô tả để đánh giá phổ đỉnh đàn...... hiện toàn bộ
Sự hình thành oxide anod trên các phim TiNx được phun phản ứng Dịch bởi AI
Surface and Interface Analysis - Tập 20 Số 6 - Trang 503-507 - 1993
Ignacio Montero Ruíz, Carmen Jiménez, J.M. Albella, J. Perrière
Tóm tắtHành vi oxi hóa anod của các lớp mỏng nitride titanium được phun phản ứng trên các nền silicon đã được nghiên cứu nhằm thu được các lớp oxynitride ở nhiệt độ phòng. Kết quả cho thấy, sự khác biệt nhỏ trong thành phần hóa học của các lớp nitride titanium có thể dẫn đến những thay đổi lớn trong khả năng phản ứng với oxy. Do đó, có một ảnh hưởng mạnh mẽ của tỷ ...... hiện toàn bộ
Elastic scattering and quantification in AES and XPS
Surface and Interface Analysis - Tập 14 Số 11 - Trang 659-685 - 1989
A. Jabłoński
AbstractIn the mathematical formalism of quantitative AES and XPS, the elastic electron collisions are not taken into account. However, recent calculations have shown that the neglect of the elastic collisions may result in considerable errors. Theoretical analysis of the actual electron transport in a solid requires two major problems to be considered. (i) calcula...... hiện toàn bộ
American society for testing and materials, standard definitions of terms relating to surface analysis (E673–82)
Surface and Interface Analysis - Tập 5 Số 6 - Trang 268-270 - 1983
AbstractThis standard is issued under the fixed designation E 673; the number immediately following the designation indicates the year of original adoption or, in the case of revision, the year of last revision. A number in parentheses indicates the year of last reapproval. A superscript epsilon (ϵ) indicates an editorial change since the last revision or reapprova...
Tổng số: 101   
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 10