Plasma Chemistry and Plasma Processing

Công bố khoa học tiêu biểu

* Dữ liệu chỉ mang tính chất tham khảo

Sắp xếp:  
Plasma etching of III–V semiconductors in BCl3 chemistries: Part II: InP and related compounds
Plasma Chemistry and Plasma Processing - Tập 17 - Trang 169-179 - 1997
J. W. Lee, J. Hong, E. S. Lambers, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, W. S. Hobson, F. Ren
BCl3/Ar and BCl3/N2 plasma chemistries were compared for patterning of InP, InAs, InSb, InGaAs, InGaAsP, and AlInAs. Under electron cyclotron resonance conditions etch rates in excess of 1 µm/min can be achieved at room temperature with low additional rf chuck power (150 W). The etch rates are similar for both chemistries, with smoother surface morphologies for BCl3/Ar. However, the surfaces are s...... hiện toàn bộ
Announcement
Plasma Chemistry and Plasma Processing - Tập 8 - Trang 347-347 - 1988
Enhancement Propagation of Protocorms in Orchid (Cymbidium tracyanum L. Castle) by Cold Atmospheric Pressure Air Plasma Jet
Plasma Chemistry and Plasma Processing - Tập 41 Số 2 - Trang 573-589 - 2021
Sorapong Pavasupree, Nattapong Chanchula, Atipong Bootchanont, Chakkaphan Wattanawikkam, Pinit Jitjing, Dheerawan Boonyawan, Porramain Porjai
Remarks Relative to the Use of Atmospheric Plasma-Pulsed Discharge for PET Bottles Instant Sterilization
Plasma Chemistry and Plasma Processing - Tập 20 - Trang 159-161 - 2000
Pavel Koulik
A Survey of Chemical Nonequilibrium in Argon Arc Plasma
Plasma Chemistry and Plasma Processing - Tập 37 - Trang 513-530 - 2016
Margarita Baeva
The widespread application of electric arcs is closely related to the continuous research interest over the course of many years. The present survey is concerned with chemical and excitation nonequilibrium in atmospheric pressure argon plasma generated between a sharpened tungsten cathode and a flat copper anode at current levels of 35–200 A. Advanced fully nonequilibrium modelling is applied to s...... hiện toàn bộ
Ảnh hưởng của tần số kích thích plasma đến việc lắng đọng màng mỏng a-Si:H Dịch bởi AI
Plasma Chemistry and Plasma Processing - Tập 7 - Trang 267-273 - 1987
H. Curtins, N. Wyrsch, M. Favre, A. V. Shah
Nghiên cứu ảnh hưởng của tần số kích thích plasma đến tốc độ lắng đọng và các tính chất quang học, điện của màng silicon vô định hình diễn ra trong khoảng từ 25–150 MHz. Tốc độ lắng đọng đạt được lên tới 21 Å/sec tại khoảng 70 MHz, cao gấp 5–8 lần so với các tốc độ thường thấy trong hệ thống phát sáng silane 13.56 MHz. Chỉ có những biến đổi nhỏ xảy ra đối với mật độ khiếm khuyết (được đo bằng phươ...... hiện toàn bộ
#tần số kích thích plasma #lắng đọng màng mỏng #silicon vô định hình #tốc độ lắng đọng #tính chất quang học #tính chất điện
Erratum to: Production of Reactive Oxygen Species and Application for NOx Control
Plasma Chemistry and Plasma Processing - Tập 34 - Trang 1447-1447 - 2014
Mindi Bai, Baiyu Leng, Shoulei Mao
Pulsed Plasma Assisted Growth of Vertically Aligned Carbon Nanotubes at Low Temperature on Mo Substrate
Plasma Chemistry and Plasma Processing - Tập 35 - Trang 247-257 - 2014
Mahananda Baro, Arup R. Pal
Aligned carbon nanotubes (CNTs)/carbon nanofibers (CNFs) are synthesized at temperatures of 350, 400 and 450 °C using pulsed plasma enhanced chemical vapour deposition (Pulsed-PECVD) process. Ni catalyst film of thickness 10 nm is directly deposited on molybdenum (Mo) substrate and growth of CNT is performed at various temperatures. Pulsed-PECVD facilitates aligned CNT growth on Mo substrates at t...... hiện toàn bộ
Plasma polymerization of carbosilanes: Tetramethylsilane as a model monomer for reactivity study of silylmethyl groups
Plasma Chemistry and Plasma Processing - Tập 10 - Trang 277-289 - 1990
A. M. Wróbel, G. Czeremuszkin, H. Szymanowski, J. Kowalski
Plasma polymerization of tetramethysilane was studied in terms of file reactivity of silylmethyl groups. Two different plasma experiments have been carried out. The first was involved in trapping of low-molecular-weight conversion products of file monomer, and the second was used for deposition of polymer film. Gas chromatograplty/ mass spectrometry examination of file trapped material correlated ...... hiện toàn bộ
Measurement of Spatial Distributions of Electron Density and Electron Temperature in Direct Current Glow Discharge by Double Langmuir Probes
Plasma Chemistry and Plasma Processing - Tập 22 - Trang 297-311 - 2002
Wei-Han Tao, Hirotsugu K. Yasuda
The spatial distributions of electron temperature and density in a dc glow discharge that is created by a pair of planar electrodes were obtained by using double Langmuir probes. The contribution of double Langmuir probes measurement is to provide a relatively quantitative tool to identify the electron distribution behavior. Electrons gain energy from the imposed electric field, and electron tempe...... hiện toàn bộ
Tổng số: 1,528   
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 10