Ảnh hưởng của tần số kích thích plasma đến việc lắng đọng màng mỏng a-Si:H

Plasma Chemistry and Plasma Processing - Tập 7 - Trang 267-273 - 1987
H. Curtins1, N. Wyrsch1, M. Favre1, A. V. Shah1
1Institut de Microtechnique, Universite de Neuchatel, Neuchatel, Switzerland

Tóm tắt

Nghiên cứu ảnh hưởng của tần số kích thích plasma đến tốc độ lắng đọng và các tính chất quang học, điện của màng silicon vô định hình diễn ra trong khoảng từ 25–150 MHz. Tốc độ lắng đọng đạt được lên tới 21 Å/sec tại khoảng 70 MHz, cao gấp 5–8 lần so với các tốc độ thường thấy trong hệ thống phát sáng silane 13.56 MHz. Chỉ có những biến đổi nhỏ xảy ra đối với mật độ khiếm khuyết (được đo bằng phương pháp quang nhiệt lệch), khoảng cách quang học và độ dẫn điện trong khoảng tần số này. Trong một diễn giải sơ bộ được đưa ra ở đây, sự biến đổi lớn của tốc độ lắng đọng tùy theo tần số kích thích được giải thích dựa trên những thay đổi trong hàm phân phối năng lượng electron.

Từ khóa

#tần số kích thích plasma #lắng đọng màng mỏng #silicon vô định hình #tốc độ lắng đọng #tính chất quang học #tính chất điện

Tài liệu tham khảo

J. I. Pankove (editor), inSemiconductors and Semimetals, Vol. 21, Parts A-D, Academic Press, New York (1984). K. Takahashi and M. Konagai, inAmorphous Silicon Solar Cells, North Oxford Acad. (1986). T. Hamasaki, M. Ueda, A. Chayahara, M. Hirose, and Y. Osaka,Appl. Phys. Lett. 44, 600 (1984). H. Itoh,Technical Digest of the International PVSEC-1, Kobe, Japan (1984), p. 119. J. C. Anderson and S. Biswas,J. Non-Cryst. Solids 77–78, 817 (1985). S. Kato and T. Akoi,J. Non-Cryst. Solids 77–78, 823 (1985). A. E. Delahoy,J. Non-Cryst. Solids 77–78, 833 (1985). A. Matsuda, T. Kaga, H. Tanaka, and K. Tanaka,Jpn. J. Appl. Phys. 23, L567 (1984). F. Boulitrop, N. Proust, J. Magarino, and E. Criton,J. Appl. Phys. 58, 3494 (1985). D. L. Flamm,J. Vac. Technol. 4, 729 (1986). M. R. Wertheimer,J. Vac. Technol. A 3, 2643 (1985). W. B. Jackson and N. M. Amer,Phys. Rev. B 25, 5559 (1982). W. B. Jackson, D. K. Biegelsen, R. J. Nemanich, and J. C. Knights,Appl. Phys. Lett. 42, 105 (1983). H. Curtins, N. Wyrsch, and A. V. Shah,Electronic Letters,23, 228 (1987). M. Heintze and W. E. Spear,J. Non-Cryst. Solids 77–78, 495 (1985). M. Heintze, Thesis presented at the University of Dundee, May 1986. S. Veprek, private communication (1986).