Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena

Công bố khoa học tiêu biểu

* Dữ liệu chỉ mang tính chất tham khảo

Sắp xếp:  
Spatial distribution of electrically active defects in dual-layer (SiO2∕HfO2) gate dielectric n-type metal oxide semiconductor field effect transistors
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena - Tập 27 Số 1 - Trang 329-332 - 2009
Nguyen, T., Savio, A., Militaru, L., Plossu, C.
Formation of a few nanometer wide holes in membranes with a dual beam focused ion beam system
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena - Tập 21 Số 6 - Trang 2720-2723 - 2003
T. Schenkel, Velimir Radmilović, E.A. Stach, S.-J. Park, Arun Persaud
When nanometer-scale holes (diameters of 50 to a few hundred nm) are imaged in a scanning electron microscope (SEM) at pressures in the 10−5 to 10−6 Torr range, hydrocarbon deposits build up and result in the closing of holes within minutes of imaging. Additionally, electron or ion beam assisted deposition of material from a gas source allows the closing of holes with films of platinum or ...... hiện toàn bộ
Energy exchange processes in electron emission at high fields and temperatures
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena - Tập 12 Số 2 - Trang 727-736 - 1994
M. S. Chung, P. H. Cutler, N. M. Miskovsky, T. E. Sullivan
A new more complete theory for energy exchange processes in electron emission is formulated. It is found that the tunneling contribution to the availability of vacant states is necessary to explain the replacement process occurring in the emitter region. The introduction of the tunneling states now makes it possible to obtain both the average energies of the emitted and replacement electro...... hiện toàn bộ
Đặc trưng của các hạt lượng tử InAs trong giếng lượng tử InxGa1−xAs bị căng Dịch bởi AI
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena - Tập 18 Số 3 - Trang 1496-1501 - 2000
A. Stintz, G. T. Liu, A.L. Gray, Rafael Spillers, Silverio Delgado, Kevin J. Malloy
Các thuộc tính của hạt lượng tử InAs được đặt trong giếng lượng tử InGaAs căng được nghiên cứu. Cấu trúc này được lớn lên bằng phương pháp phân tử beam xạ nguồn rắn trên nền GaAs và được đặc trưng bằng quang phát quang và kính hiển vi lực nguyên tử. Bước sóng phát ra và chất lượng quang học của các hạt lượng tử thay đổi theo nhiệt độ lớn lên và cũng phụ thuộc vào vị trí của các hạt trong g...... hiện toàn bộ
Các khía cạnh khoa học bề mặt của vi điện tử chân không Dịch bởi AI
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena - Tập 13 Số 4 - Trang 1391-1410 - 1995
P. R. Schwoebel, I. Brodie
Vi điện tử chân không (VME) liên quan đến thiết kế và chế tạo các thiết bị và linh kiện chân không được cấu tạo với kích thước và độ chính xác tương tự như các thiết bị vi điện tử bán dẫn. Công nghệ này rất phù hợp cho việc sử dụng trong các thiết bị điện tử có ý nghĩa thương mại, đặc biệt là màn hình phẳng. Ngành công nghiệp màn hình phẳng dự kiến sẽ đạt doanh thu hàng năm tính bằng hàng ...... hiện toàn bộ
#vi điện tử chân không #khoa học bề mặt #catốt lạnh #phát xạ điện trường #màn hình phẳng
Nanoimprinting trên bề mặt địa hình và in 3D nhiều lớp Dịch bởi AI
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena - Tập 20 Số 6 - Trang 2881-2886 - 2002
Lirong Bao, Xing Cheng, X. D. Huang, L. Jay Guo, S. W. Pang, Albert F. Yee
Chúng tôi đã phát triển một kỹ thuật in dấu đơn giản cho phép tạo hình trên một bề mặt không phẳng mà không cần phải làm phẳng. Trong quá trình này, một lớp phim polymer được phủ bằng cách quay (spin coating) lên khuôn và sau đó được chuyển giao đến một bề mặt đã được định hình thông qua phương pháp in dấu. Bằng cách lựa chọn các loại polymer với các tính chất cơ học khác nhau, chúng tôi c...... hiện toàn bộ
Phát hiện tế bào đơn lẻ bằng bộ dao động vi cơ học Dịch bởi AI
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena - Tập 19 Số 6 - Trang 2825-2828 - 2001
B. Ilic, David A. Czaplewski, Maxim Zalalutdinov, H. G. Craighead, Pavel Neužil, Christine Campagnolo, Carl A. Batt
Khả năng phát hiện một lượng nhỏ các chất liệu, đặc biệt là vi khuẩn gây bệnh, rất quan trọng trong chẩn đoán y tế và theo dõi an toàn thực phẩm. Các hệ thống cơ học vi và nano được thiết kế có thể đóng vai trò như những máy phát hiện sinh học đa chức năng, nhạy cảm cao và đặc hiệu miễn dịch. Chúng tôi trình bày một cảm biến khối lượng dựa trên tần số cộng hưởng, được cấu thành từ các than...... hiện toàn bộ
#phát hiện tế bào đơn lẻ #cảm biến khối lượng #E. coli #vi khuẩn gây bệnh #dao động vi cơ học
Bong khí nanomet trên bề mặt rắn được chụp ảnh bằng kính hiển vi lực nguyên tử Dịch bởi AI
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena - Tập 18 Số 5 - Trang 2573-2575 - 2000
Shitao Lou, Zhenqian Ouyang, Yi Zhang, Xiaojun Li, Jun Hu, Minqian Li, Fujia Yang
Bong khí có kích thước nanomet đã được tạo ra trên bề mặt rắn phẳng ở mức nguyên tử và được chụp ảnh bằng kính hiển vi lực nguyên tử (AFM) ở chế độ gõ trong nước. Trong các hình ảnh AFM, bong khí xuất hiện như những hình cầu sáng. Một số bong khí giữ sự ổn định trong nhiều giờ trong quá trình thí nghiệm. Các bong khí bị nhiễu loạn dưới tải trọng cao trong quá trình chụp ảnh AFM. Một cơ chế...... hiện toàn bộ
Xác định phân bố kích thước lỗ trong các màng mỏng bằng phương pháp porosimetry ellipsometric Dịch bởi AI
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena - Tập 18 Số 3 - Trang 1385-1391 - 2000
Mikhaı̈l R. Baklanov, K. P. Mogilnikov, V. G. Polovinkin, F. N. Dultsev
Chúng tôi cho thấy rằng phương pháp porosimetry ellipsometric có thể được sử dụng để đo lường phân bố kích thước lỗ trong các màng xốp mỏng được chế tạo trên bất kỳ nền tảng rắn mịn nào. Trong phương pháp này, kỹ thuật ellipsometry tại chỗ được sử dụng để xác định lượng chất hấp phụ, đã được hấp thụ/ngưng tụ trong màng. Sự thay đổi ở chỉ số khúc xạ và độ dày của màng được sử dụng để tính t...... hiện toàn bộ
Những tiến bộ gần đây trong quá trình chế tạo ZnO Dịch bởi AI
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena - Tập 22 Số 3 - Trang 932-948 - 2004
S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Young-Woo Heo, T. Steiner
Trong bài viết này, chúng tôi trình bày một cái nhìn tổng quan về những kết quả gần đây trong việc phát triển các quy trình chế tạo cải tiến cho các thiết bị ZnO với các ứng dụng tiềm năng trong phát quang tia UV, thiết bị chức năng spin, cảm biến khí, điện tử trong suốt, và các thiết bị sóng âm bề mặt. Ngoài ra, còn có sự quan tâm đến việc tích hợp ZnO với các bán dẫn có khoảng băng rộng ...... hiện toàn bộ
Tổng số: 78   
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 8