IEEE Transactions on Electron Devices· Tập 49 Số 9 ·Trang 1665-1668·2002
#Silicon #Vacuum microelectronics #Arrays #Electron emission #JFETs #Stability
Danh mục bài báo
IEEE Transactions on Electron Devices
Công bố khoa học tiêu biểu của tạp chí. * Dữ liệu chỉ mang tính chất tham khảo
IEEE Transactions on Electron Devices· Tập 49 Số 9 ·Trang 1669-1671·2002
#MOSFETs #Tunneling #Semiconductor device modeling #Voltage #Dielectric films
IEEE Transactions on Electron Devices· Tập 29 Số 7 ·Trang 1135-1142·1982
46
IEEE Transactions on Electron Devices· Tập 49 Số 10 ·Trang 1729-1735·2002
#MOS capacitors #Leakage currents #Semiconductor device reliability #Semiconductor device modeling #Interface phenomena #EPROM
IEEE Transactions on Electron Devices· Tập 49 Số 10 ·Trang 1761-1767·2002
#Silicon compounds #Surface treatment #Oxidation #MOSFETs #Semiconductor device reliability #Leakage currents #Dielectric films
IEEE Transactions on Electron Devices· Tập 49 Số 9 ·Trang 1640-1647·2002
#Semiconductor device noise #Semiconductor device modeling #Current density #White noise #Gaussian noise #Random noise #Superconducting microwave devices
IEEE Transactions on Electron Devices· Tập 26 Số 11 ·Trang 1677-1683·1979
291
IEEE Transactions on Electron Devices· Tập 22 Số 11 ·Trang 988-994·1975
29
IEEE Transactions on Electron Devices· Tập ED-13 Số 12 ·Trang 904-907·1966
7
IEEE Transactions on Electron Devices· Tập 42 Số 8 ·Trang 1536-1547·1995
26
Tổng số: 247
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 10