Quang điện là gì? Các bài báo nghiên cứu khoa học liên quan

Khái niệm quang điện

Quang điện là hiện tượng phát xung electron từ bề mặt chất khi bị chiếu sáng bởi ánh sáng có bước sóng và tần số phù hợp. Khi photon tác động lên electron trong vật liệu, nếu năng lượng photon vượt qua năng lượng liên kết (công thoát) của electron, electron sẽ được giải phóng khỏi bề mặt vật liệu dưới dạng dòng điện.

Hiệu ứng quang điện phản ánh trực tiếp bản chất hạt của ánh sáng, khẳng định rằng ánh sáng không chỉ là sóng điện từ mà còn tồn tại dưới dạng photon với năng lượng xác định theo công thức $E = h\nu$. Điều này khác biệt hoàn toàn so với mô hình sóng cổ điển.

• Quang điện ngoài (external photoelectric effect): electron được bứt ra khỏi bề mặt kim loại.
• Quang điện trong (internal photoelectric effect): electron được kích thích di chuyển trong khối vật liệu bán dẫn.

Lịch sử và phát triển

Vào năm 1887, Heinrich Hertz đã quan sát được hiện tượng phát sinh dòng điện yếu khi chiếu tia tử ngoại lên bề mặt kim loại, mở đầu cho nghiên cứu về quang điện. Tuy nhiên, mô tả này chỉ mang tính quan sát chưa có lời giải thích cơ học chi tiết.

Năm 1905, Albert Einstein đề xuất lý thuyết lượng tử ánh sáng, giải thích rằng ánh sáng gồm các photon có năng lượng rời rạc $h\nu$, điều này giúp lý giải mọi khía cạnh của hiệu ứng quang điện. Công trình này đem về cho ông Giải Nobel Vật lý năm 1921.

Sau đó, hàng loạt thí nghiệm với các kim loại khác nhau (kẽm, natri, kali) và bán dẫn (silic, GaAs) đã được thực hiện để khảo sát công thoát và hiệu suất quang điện, mở đường cho ngành công nghiệp pin mặt trời hiện đại.

Cơ chế vật lý của hiệu ứng quang điện

Khi photon tiếp xúc với bề mặt vật liệu, nó có thể truyền toàn bộ năng lượng cho electron lớp ngoài cùng của nguyên tử. Nếu năng lượng này đủ lớn để vượt qua công thoát $\Phi$ của vật liệu, electron sẽ giải phóng ra ngoài với động năng dư.

Động năng của electron được xác định bởi hiệu số giữa năng lượng photon và công thoát, đồng thời phụ thuộc vào bước sóng ánh sáng và cấu trúc mạng tinh thể của vật liệu. Điều này lý giải vì sao khi chiếu ánh sáng có bước sóng dài hơn ngưỡng, không có electron nào thoát ra.

Thông số	Giá trị điển hình (kim loại)	Giá trị điển hình (bán dẫn)
Công thoát Φ (eV)	2.1 – 4.5	1.1 – 1.7
Bước sóng ngưỡng λ₀ (nm)	280 – 590	710 – 1120
Hiệu suất (%)	0.1 – 1	10 – 25

Phương trình Einstein cho hiệu ứng quang điện

Einstein đưa ra công thức liên hệ năng lượng photon với động năng electron và công thoát của vật liệu như sau:

$h\nu = E_{\text{kin}} + \Phi$

Trong đó:

• h là hằng số Planck (6.626 × 10⁻³⁴ J·s).
• ν là tần số ánh sáng chiếu vào (Hz).
• E_kin là động năng cực đại của electron bứt ra (J).
• Φ là công thoát của vật liệu (J), tương đương năng lượng tối thiểu cần thiết để giải phóng electron.

Công thức này không chỉ giải thích được ngưỡng bước sóng và động năng tối đa mà còn khẳng định tính chất lượng tử của ánh sáng. Việc đo trực tiếp E_kin theo tần số ánh sáng đã trở thành phương pháp chuẩn để xác định công thoát của các vật liệu mới.

Vật liệu quang điện

Các vật liệu quang điện được chia thành hai nhóm chính: kim loại truyền thống và bán dẫn công suất cao. Kim loại như natri (Na), kali (K), kẽm (Zn) thường có công thoát lớn hơn, do đó chỉ thích hợp cho nghiên cứu cơ bản về hiệu ứng quang điện ngoài. Các kim loại này cho phép khảo sát mối quan hệ giữa năng lượng photon và động năng electron, nhưng cho hiệu suất chuyển đổi rất thấp (dưới 1 %).

Bán dẫn như silic (Si), gallium arsenide (GaAs) và cadmium telluride (CdTe) đã trở thành tiêu chuẩn cho pin mặt trời nhờ công thoát thấp (1,1–1,7 eV), băng thông cắt phù hợp với phổ mặt trời, và khả năng chế tạo tinh thể chất lượng cao. Silic đơn tinh thể đạt hiệu suất trên 25 % trong môi trường phòng thí nghiệm và 20–22 % ở quy mô công nghiệp .

• Silic (Si): băng thông cắt 1,12 eV, tuổi thọ module trên 25 năm.
• GaAs: băng thông cắt 1,43 eV, hiệu suất cao (>30 %) trong điều kiện đèn mặt trời tập trung.
• CdTe: băng thông cắt 1,48 eV, chi phí sản xuất thấp, hiệu suất >22 % .

Phương pháp đo và thí nghiệm

Thí nghiệm quang điện truyền thống sử dụng buồng chân không tích hợp nguồn sáng đơn sắc, bộ lọc quang phổ và máy đo cường độ dòng điện cao áp. Bước sóng ánh sáng được tinh chỉnh bằng bộ tách quang hoặc lăng kính, cho phép xác định ngưỡng kích thích λ₀ và động năng phân bố electron.

Các tiêu chuẩn ASTM E948/E948M-14 và IEC 60904-3 mô tả phương pháp đo hiệu suất pin mặt trời dưới "điều kiện chuẩn" (AM1.5G, 1000 W/m², 25 °C). Thiết lập thí nghiệm gồm:

1. Siêu quang đơn sắc (monochromator) hoặc đèn chuẩn quang phổ.
2. Kính lọc để loại bỏ bức xạ ngoài dải quan tâm.
3. Thiết bị thu electron (anode) và thu dòng quang điện với bộ khuếch đại dòng.

Thông số	Điều kiện chuẩn	Phạm vi thử nghiệm
Nhiệt độ	25 °C	–40 °C đến 85 °C
Cường độ ánh sáng	1000 W/m²	100–1200 W/m²
Phổ mặt trời	AM1.5G	300–1100 nm

Ứng dụng công nghệ

Pin mặt trời (solar PV) là ứng dụng quan trọng nhất của hiệu ứng quang điện, giúp chuyển đổi năng lượng bức xạ mặt trời trực tiếp thành điện năng. Hệ thống PV trên mái nhà dân dụng đạt công suất từ vài kWp đến hàng trăm kWp, trong khi các trang trại điện mặt trời công nghiệp xa lưỡng đạt công suất MW–GW .

Bên cạnh pin mặt trời, cảm biến quang điện (photodetector) và bóng bán dẫn quang (phototransistor) ứng dụng trong viễn thông quang, đo lường quang học, y học (như máy đo oxy trong máu) và an ninh (camera hồng ngoại). Photomultiplier tubes (PMT) sử dụng lớp quang điện với tốc độ phản hồi cực nhanh và độ nhạy cao cho phép phát hiện photon đơn lẻ.

• Pin mặt trời: Si đơn/tinh thể, màng mỏng CIGS.
• Cảm biến quang: Si PIN, APD (avalanche photodiode).
• Thiết bị đo y sinh: cảm biến oxy SpO₂.

Hiệu suất và yếu tố ảnh hưởng

Hiệu suất chuyển đổi quang–điện của pin mặt trời được tính theo tỷ lệ giữa công suất điện đầu ra tối đa và công suất bức xạ chiếu lên. Giới hạn lý thuyết do Schockley–Queisser đặt ra là 33,7 % đối với pin đơn tiếp giáp Si dưới phổ AM1.5G .

Các yếu tố chính ảnh hưởng đến hiệu suất bao gồm nhiệt độ hoạt động (giảm khoảng 0,4–0,5 % hiệu suất mỗi độ C tăng), tạp chất trong vật liệu (làm tăng tần suất tái kết hợp), và điện trở tiếp xúc (giảm điện áp và dòng điện). Bảo trì bề mặt, chống bụi và mài mòn khung cũng đóng vai trò quan trọng trong hiệu suất dài hạn.

Yếu tố	Ảnh hưởng	Biện pháp cải thiện
Nhiệt độ cao	Giảm điện áp mạch hở	Hệ thống tản nhiệt, lắp đặt thông gió
Tạp chất hóa học	Tăng tái kết hợp electron	Sản xuất tinh thể cao cấp, xử lý bề mặt
Khung và kết cấu	Che phủ diện tích hấp thụ	Thiết kế tối ưu góc nghiêng, tự làm sạch

Thách thức và xu hướng nghiên cứu

Tìm kiếm vật liệu thế hệ mới như perovskite, organic photovoltaics (OPV) và tandem cell đa tiếp giáp đang là hướng nghiên cứu chính. Perovskite chỉ trong vài năm đã đạt hiệu suất >25 % nhờ khả năng hấp thụ rộng và quy trình chế tạo đơn giản qua lớp phủ dung dịch .

Công nghệ tandem kết hợp hai hoặc ba tiếp giáp có băng thông cắt khác nhau để tận dụng tốt hơn phổ mặt trời, lý tưởng cho ứng dụng trong điều kiện tập trung công suất cao (CPV). Bên cạnh hiệu suất, độ bền lâu dài và không chứa chì (trong perovskite) là vấn đề quan trọng cần giải quyết.

• Tăng cường tính ổn định môi trường (chống ẩm, nhiệt).
• Giảm chi phí sản xuất qua công nghệ in phun, cuộn màng mỏng.
• Phát triển vật liệu không độc hại, tái chế chu trình khép kín.

Danh sách tài liệu tham khảo

1. National Renewable Energy Laboratory. “Solar Photovoltaic Technology Basics.” https://www.nrel.gov/research/re-photovoltaic.html.
2. U.S. Department of Energy. “Photovoltaic Efficiency Records.” https://www.energy.gov/eere/solar/efficiency-records-photovoltaic-cells.
3. International Energy Agency. “Renewables 2024.” https://www.iea.org/reports/renewables-2024.
4. Shockley, W. & Queisser, H. J. (1961). “Detailed Balance Limit of Efficiency of p–n Junction Solar Cells.” Journal of Applied Physics, 32(3), 510–519.
5. Noel, N. K. et al. (2014). “Lead-free organic–inorganic tin halide perovskites for photovoltaic applications.” Energy & Environmental Science, 7, 3061–3068.
6. ASTM International. “ASTM E948/E948M-14: Standard Test Methods for Measurement of Light-Induced Electron Emission.”