Các đặc tính cấu trúc và phát quang của silicon xốp

Journal of Applied Physics - Tập 82 Số 3 - Trang 909-965 - 1997
A. G. Cullis1, Leigh Canham2, P. D. J. Calcott2
1Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 3JD, United Kingdom
2DRA Malvern, Saint Andrews Road, Malvern, Worcs WR14 3PS, United Kingdom

Tóm tắt

Một lượng lớn công việc trên toàn thế giới đã được hướng đến việc hiểu rõ các đặc tính cơ bản của silicon xốp. Nhiều tiến bộ đã được đạt được sau minh chứng năm 1990 rằng vật liệu có độ xốp cao có thể phát ra ánh sáng hiệu quả trong dải nhìn thấy được ở nhiệt độ phòng. Từ thời điểm đó, tất cả các đặc tính về cấu trúc, quang, và điện tử của vật liệu đã được nghiên cứu sâu sắc. Mục đích của bài báo tổng quan này là đánh giá công việc đã được thực hiện và chi tiết hóa mức độ hiểu biết đã đạt được. Tầm quan trọng chính của các cấu trúc nano silicon tinh thể trong việc xác định hành vi của silicon xốp được nhấn mạnh. Việc chế tạo các thiết bị phát quang điện trạng thái rắn là một mục tiêu nổi bật của nhiều nghiên cứu và sự tiến bộ ấn tượng trong lĩnh vực này được mô tả.

Từ khóa

#Silicon xốp #phát quang #cấu trúc nano #cấu trúc điện tử #phát quang trạng thái rắn

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Journal of Applied Physics

Tập 82 Số 3

909-965

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