Cấu trúc electron là gì? Các công bố khoa học về Cấu trúc electron

Bài báo này trình bày mô tả về gói hóa học lượng tử ab initio GAMESS. Các hệ hóa học chứa nguyên tử từ hydro đến radon có thể được xử lý với các hàm sóng từ trường hợp đơn giản nhất là lớp vỏ kín cho đến trường hợp tổng quát MCSCF, cho phép thực hiện tính toán ở mức độ tinh vi cần thiết. Bài báo nhấn mạnh vào các tính năng mới của chương trình. Chiến lược phân tán được sử dụng trong các phần RHF, ROHF, UHF và GVB của chương trình được mô tả, và các kết quả speecup chi tiết được đưa ra. Tính toán song song có thể được thực hiện trên các trạm làm việc thông thường cũng như trên các máy tính song song chuyên dụng. © John Wiley & Sons, Inc.

Các hằng số quang học của germanium vô định hình được xác định cho các năng lượng photon từ 0.08 đến 1.6 eV. Từ 0.08 đến 0.5 eV, sự hấp thụ là do các chuyển tiếp bảo toàn k của lỗ giữa các dải giá trị như trong tinh thể p-type; sự tách spin-orbit được tìm thấy là 0.20 và 0.21 eV trong các mẫu không xử lý nhiệt và đã xử lý nhiệt tương ứng. Khối lượng hiệu dụng của các lỗ trong ba dải là 0.49 m (tương ứng là 0.43 m); 0.04 m, và 0.08 m. Một dải hấp thụ được quan sát thấy dưới bờ hấp thụ chính (tại 300 °K, tối đa của dải này là 0.86 eV); sự hấp thụ trong dải này gia tăng khi nhiệt độ tăng. Dải này được cho là do các exciton bị gắn với các chất chấp nhận trung tính, và có thể đây chính là những chất đóng vai trò quyết định trong các thuộc tính vận chuyển và được cho là liên quan đến các khoảng trống. Bờ hấp thụ có dạng: ω²ϵ₂∼(hω−E_g)² (E_g = 0.88 eV tại 300 °K). Điều này gợi ý rằng các chuyển tiếp quang học bảo toàn năng lượng nhưng không bảo toàn véctơ k, và rằng mật độ trạng thái gần các cực dải có sự phụ thuộc cùng một cách vào năng lượng như trong germanium tinh thể. Một lý thuyết đơn giản mô tả tình huống này đã được đề xuất, và việc so sánh nó với các kết quả thực nghiệm dẫn đến một ước lượng về sự định tâm của các hàm sóng dải dẫn.

Kể từ khi kỹ thuật khuếch tán ngược điện tử (EBSD) được tự động hóa, các hệ thống EBSD đã trở nên phổ biến trong các cơ sở hiển vi thuộc các phòng thí nghiệm nghiên cứu khoa học vật liệu và địa chất trên toàn thế giới. Sự chấp nhận của kỹ thuật này chủ yếu là nhờ khả năng của EBSD trong việc hỗ trợ các nhà nghiên cứu hiểu biết về các khía cạnh tinh thể học của cấu trúc vi mô. Đã có sự quan tâm đáng kể trong việc sử dụng EBSD để định lượng biến dạng ở quy mô dưới vi mô. Để áp dụng EBSD cho việc đặc trưng hóa biến dạng, điều quan trọng là phải hiểu những gì có thể thực hiện trong thực tế cùng với các giả định và hạn chế cơ bản. Công trình này xem xét tình trạng hiện tại của công nghệ liên quan đến phân tích biến dạng sử dụng EBSD. Đầu tiên, các tác động của cả biến dạng đàn hồi và biến dạng dẻo lên các mẫu EBSD riêng lẻ sẽ được xem xét. Thứ hai, việc sử dụng bản đồ EBSD để đặc trưng hóa biến dạng dẻo sẽ được khám phá. Cả tiềm năng của kỹ thuật và những hạn chế của nó sẽ được thảo luận cùng với độ nhạy của các tham số tính toán và lập bản đồ khác nhau.

Trong những năm gần đây, các nhà bán lẻ trực tuyến (còn được gọi là các nhà bán hàng điện tử) đã bắt đầu cho phép các nhà sản xuất tiếp cận trực tiếp với khách hàng của họ, trong khi thu phí để cung cấp quyền truy cập này, một định dạng phổ biến được gọi là bán hàng đại lý. Trong bài báo này, chúng tôi sử dụng một mô hình lý thuyết định hình để trả lời một câu hỏi quan trọng mà các nhà bán lẻ điện tử đang phải đối mặt: Khi nào họ nên sử dụng định dạng bán hàng đại lý thay vì sử dụng định dạng bán lại truyền thống hơn? Chúng tôi phát hiện ra rằng bán hàng đại lý hiệu quả hơn bán lại và dẫn đến giá bán lẻ thấp hơn; tuy nhiên, các nhà bán lẻ điện tử lại trao quyền kiểm soát giá bán lẻ cho nhà sản xuất. Do đó, phản ứng của nhà sản xuất, người đưa ra quyết định giá bán qua kênh điện tử dựa trên tác động của chúng lên nhu cầu trong kênh truyền thống (bán lẻ truyền thống), là một yếu tố quan trọng mà các nhà bán lẻ điện tử cần xem xét. Chúng tôi phát hiện rằng khi doanh số bán hàng trong kênh điện tử dẫn đến tác động tiêu cực lên nhu cầu trong kênh truyền thống, các nhà bán lẻ điện tử ưa chuộng bán hàng đại lý, trong khi khi doanh số bán hàng trong kênh điện tử kích thích đáng kể nhu cầu trong kênh truyền thống, các nhà bán lẻ điện tử lại ưa chuộng bán lại. Sự ưu tiên này bị ảnh hưởng bởi sự cạnh tranh giữa các nhà bán lẻ điện tử - khi sự cạnh tranh giữa họ tăng lên, các nhà bán lẻ điện tử ưa chuộng sử dụng hình thức bán hàng đại lý. Chúng tôi cũng phát hiện rằng khi các nhà bán lẻ điện tử hưởng lợi từ các ngoại tác tích cực từ doanh số bán hàng của sản phẩm mục tiêu (chẳng hạn như lợi nhuận bổ sung từ doanh số bán hàng của các sản phẩm liên quan), giá bán lẻ có thể thấp hơn dưới hình thức bán lại so với bán hàng đại lý, và các nhà bán lẻ điện tử ưa chuộng bán lại trong một số điều kiện mà họ sẽ ưa chuộng bán hàng đại lý mà không có các ngoại tác tích cực.

Cấu trúc hóa học của các lớp phim SiO2 mỏng, các oxit tự nhiên mỏng của GaAs (20–30 Å), và các giao diện oxit–bán dẫn tương ứng đã được điều tra bằng phương pháp quang phổ điện tử phát xạ tia X có độ phân giải cao. Các hồ sơ sâu của những cấu trúc này đã được thu được bằng cả hai kỹ thuật bắn phá ion argon và ăn mòn hóa học ướt. Sự phá hủy hóa học được gây ra bởi phương pháp định hình ion đã được chứng minh bằng cách so sánh trực tiếp các phương pháp này trên các mẫu tương tự. Các phương pháp giảm dữ liệu biến đổi Fourier dựa trên dự đoán tuyến tính với các ràng buộc entropy cực đại được sử dụng để phân tích cấu trúc rời rạc trong các oxit và nền tảng. Cấu trúc rời rạc này được giải thích thông qua một mô hình chuyển giao điện tích do cấu trúc gây ra (SICT).

Các lớp TiAlN/VN có cấu trúc NaCl-B1 lập phương với độ dày khoảng 3 nm và tỷ lệ nguyên tử (Ti+Al)/V = 0.98 đến 1.15 và Ti/V = 0.55 đến 0.61 đã được lắng đọng bằng phương pháp phun điện từ không cân bằng ở các điện áp偏 lệch giữa -75 và -150 V. Trong bài báo này, kính hiển vi điện tử truyền qua và phân tích X-ray đã cho thấy sự thay đổi vi cấu trúc rõ rệt tùy thuộc vào偏 lệch. Ở偏 lệch -75 V, TiAlN/VN tuân theo mô hình tăng trưởng lớp dẫn đầu bởi kết cấu (110) mạnh để tạo thành cấu trúc loại T theo mô hình cấu trúc Thornton của các lớp mỏng, điều này dẫn đến mặt tiền tăng trưởng thô, cấu trúc cột dày đặc với các khoảng trống giữa các cột và ứng suất nén thấp -3.8 GPa. Ở các偏 lệch cao hơn, các lớp coating cho thấy cấu trúc loại II điển hình theo mô hình tăng trưởng năng lượng biến dạng, có đặc điểm là cấu trúc cột, các ranh giới cột không có khoảng trống, bề mặt mịn, kết cấu (111) nổi bật, và ứng suất dư cao giữa -8 đến -11.5 GPa.

Chúng tôi mô tả khái niệm về một gói tự gấp ba chiều (SFP) dành cho cảm biến và thiết bị điện tử. Chiến lược này dựa trên phương pháp hợp tác tự động, trong đó các panel 2D được kết nối với nhau bằng bản lề tự động gấp lại khi chúng được giải phóng khỏi nền tảng; quy trình tự gấp có thể được kích hoạt bởi nhiệt độ hoặc các hóa chất được chọn. Chiến lược này cho phép đóng gói các thiết bị trong các hình học polyhedral xốp có thể không được kết nối hoặc vẫn gắn liền với nền tảng. Tự gấp có thể cho phép đóng gói các thiết bị trong các hình dạng 3D nhỏ và có thể cho phép làm mát hiệu quả nhờ độ xốp. Việc sử dụng nền tảng tự gấp này để kích hoạt đóng gói 3D của cảm biến cantilever và đồng hồ đo biến dạng nhạy cảm với từ trường được tóm tắt.

Chúng tôi đã phát hiện ra hiện tượng siêu dẫn ở nhiệt độ 24 K trong một họ hợp chất Ln_2−xCe_xCuO_4−y (Ln=Pr, Nd, Sm). Đặc điểm mới lạ của hiện tượng siêu dẫn trong họ hợp chất này là siêu dẫn được tạo ra thông qua việc pha tạp electron, trái ngược hoàn toàn với các hợp chất cuprate có nhiệt độ siêu cao đã được phát hiện cho đến nay. Ảnh hưởng của việc pha tạp đến các tính chất vật lý, đặc biệt là sơ đồ pha điện tử và các hệ số vận chuyển cho thấy sự đối xứng ở nhiều khía cạnh giữa việc pha tạp electron và lỗ trống sẽ được mô tả.