Đánh giá phân tích biến dạng bằng kỹ thuật khuếch tán ngược điện tử

Microscopy and Microanalysis - Tập 17 Số 3 - Trang 316-329 - 2011
Stuart I. Wright1, Matthew M. Nowell2, David P. Field3
1EDAX-TSL, 392 East 12300 South, Draper, UT 84020, USA. [email protected]
2EDAX-TSL, 392 East 12300 South, Draper, UT 84020, USA
3Washington State University, 239C Dana Hall, Pullman, WA 99164, USA

Tóm tắt

Tóm tắtKể từ khi kỹ thuật khuếch tán ngược điện tử (EBSD) được tự động hóa, các hệ thống EBSD đã trở nên phổ biến trong các cơ sở hiển vi thuộc các phòng thí nghiệm nghiên cứu khoa học vật liệu và địa chất trên toàn thế giới. Sự chấp nhận của kỹ thuật này chủ yếu là nhờ khả năng của EBSD trong việc hỗ trợ các nhà nghiên cứu hiểu biết về các khía cạnh tinh thể học của cấu trúc vi mô. Đã có sự quan tâm đáng kể trong việc sử dụng EBSD để định lượng biến dạng ở quy mô dưới vi mô. Để áp dụng EBSD cho việc đặc trưng hóa biến dạng, điều quan trọng là phải hiểu những gì có thể thực hiện trong thực tế cùng với các giả định và hạn chế cơ bản. Công trình này xem xét tình trạng hiện tại của công nghệ liên quan đến phân tích biến dạng sử dụng EBSD. Đầu tiên, các tác động của cả biến dạng đàn hồi và biến dạng dẻo lên các mẫu EBSD riêng lẻ sẽ được xem xét. Thứ hai, việc sử dụng bản đồ EBSD để đặc trưng hóa biến dạng dẻo sẽ được khám phá. Cả tiềm năng của kỹ thuật và những hạn chế của nó sẽ được thảo luận cùng với độ nhạy của các tham số tính toán và lập bản đồ khác nhau.

Từ khóa

#khuếch tán ngược điện tử #phân tích biến dạng #cấu trúc vi mô #khoa học vật liệu #địa chất

Tài liệu tham khảo

10.1017/S1431927606060090

Wright, 2005, Textures of Materials—ICOTOM 14, 1121

10.1179/174328406X130876

10.1111/j.1365-2818.2009.03120.x

10.1063/1.108758

Tao X. (2003). An EBSD study on mapping of small orientation differences in lattice mismatched heterostructures. PhD Thesis. Bethlehem, PA: Lehigh University.

10.4028/www.scientific.net/MSF.157-162.149

10.1016/j.scriptamat.2008.01.050

Nye, 1957, Physical Properties of Crystals. Their Representation by Tensors and Matrices, 10.1063/1.3060200

10.1017/S1431927605050099

10.1016/S1359-6454(02)00070-8

10.1017/S1431927604886859

Katrakova, 2001, Specimen preparation and electron backscatter diffraction—Part I: Metals, Prac Metallog, 38, 547, 10.1515/pm-2001-381002

10.1016/j.ultramic.2009.04.007

10.1016/j.ultramic.2004.11.016

10.1016/0921-5093(94)09601-R

Wardle, 1994, Proceedings of the 52nd Annual Meeting of the Microscopy Society of America, 680

10.1016/S1359-6462(02)00340-8

10.1007/BF02656503

Bertness, 2004, EBSD measurement of strains in GaAs due to oxidation of buried AlGaAs layers, Microelectron Eng, 75, 96, 10.1016/j.mee.2003.11.010

10.1016/j.ultramic.2004.11.012

10.1016/j.actamat.2008.10.050

10.1016/S0304-3991(96)00104-0

10.1155/TSM.20.41

10.1179/174328406X130966

10.1007/978-1-4757-3205-4_20

10.1016/j.ultramic.2005.10.001

10.1080/14786430903397297

10.1179/mst.1997.13.1.79

Wright, 1993, A review of automated orientation imaging microscopy (OIM), J Comput Assist Microsc, 5, 207

10.1080/01418610008212038

10.4028/www.scientific.net/MSF.408-412.1185

10.1016/j.tecto.2003.08.007

Wright, 1999, Proceedings of the Twelfth International Conference on Textures of Materials, 104

Brewer, 2002, Microscopy and Microanalysis 2002, 684CD

Wright, 1993, Application of new automatic lattice orientation measurement technique to polycrystalline aluminum. Mater Sci Eng, A, 160, 229

10.1016/j.mee.2003.11.010

10.1016/j.ultramic.2008.05.002

Thông tin
Thông tin xuất bản

Microscopy and Microanalysis

Tập 17 Số 3

316-329

Thông tin tác giả