Elsevier BV

Công bố khoa học tiêu biểu

* Dữ liệu chỉ mang tính chất tham khảo

Sắp xếp:  
Ultra deep trench doping in silicon by grazing incident boron implantation
Elsevier BV - Tập 257 - Trang 275-278 - 2007
S. Nizou, M. Ziti, C. Dubois, M. Roy, D. Alquier
Analysis of optical density data generated from neutron radiographs of uranium-plutonium mixed oxide fuel pellets inside sealed nuclear fuel pins
Elsevier BV - Tập 14 - Trang 310-313 - 1986
J.P. Panakkal, J.K. Ghosh, P.R. Roy
Ion beam enhancement in 236UO− measurement by AMS using Si powder as the binder
Elsevier BV - Tập 456 - Trang 218-221 - 2019
Z.H. Kazi, C.R.J. Charles, X.L. Zhao, R.J. Cornett, W.E. Kieser
A computer controlled wide range three axis goniometer for Rutherford backscattering channeling experiments
Elsevier BV - Tập 23 - Trang 395-398 - 1987
E.A. Clark, R. Kirbitson, E. Norman
Glass waveguides produced by ion-exchange A characterization by RBS
Elsevier BV - Tập 117 - Trang 447-451 - 1996
K.-H. Gießler, F. Rauch, N. Fabricius
Pulse height defects for 16O, 35Cl and 81Br ions in silicon surface barrier detectors
Elsevier BV - Tập 45 - Trang 270-274 - 1990
L. Cliche, S.C. Gujrathi, L.A. Hamel
Coherent X-radiation of relativistic electrons in a single crystal under asymmetric reflection conditions
Elsevier BV - Tập 266 - Trang 3770-3776 - 2008
S.V. Blazhevich, A.V. Noskov
Angular distributions of slow multiply charged ions following capture
Elsevier BV - Tập 24 - Trang 97-100 - 1987
C.L. Cocke, L.N. Tunnell, W. Waggoner, J.P. Giese, S.L. Varghese, E.Y. Kamber, J.O.K. Pedersen
Fluence dependence of the interband critical points in ion-implanted silicon
Elsevier BV - Tập 168 - Trang 510-520 - 2000
M.A El-Sherbiny, H.H El-Bahnasawy, M.M El-Ocker
Absolute calibration of the 18O(p, α0)15N nuclear reaction
Elsevier BV - Tập 51 - Trang 97-101 - 1990
N.S. Christensen, F. Jensen, F. Besenbacher, I. Stensgaard
Tổng số: 16,717   
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 10