American Physical Society (APS)

Công bố khoa học tiêu biểu

* Dữ liệu chỉ mang tính chất tham khảo

Sắp xếp:  
Ab initiomolecular-dynamics simulation of the liquid-metal–amorphous-semiconductor transition in germanium
American Physical Society (APS) - Tập 49 Số 20 - Trang 14251-14269
Georg Kresse, J. Häfner
Kinetically controlled critical thickness for coherent islanding and thick highly strained pseudomorphic films ofInxGa1−xAs on GaAs(100)
American Physical Society (APS) - Tập 46 Số 15 - Trang 9551-9554
C. W. Snyder, John F. Mansfield, B. G. Orr
Coupled nature of magnetic and structural transition in MnNiGe under pressure
American Physical Society (APS) - Tập 18 Số 5 - Trang 2173-2178
S. Anzai, K. Ozawa
Photoemission study of the electronic structure of stoichiometric and substoichiometric TiN and ZrN
American Physical Society (APS) - Tập 25 Số 12 - Trang 7183-7191
Hartmut Höchst, R. D. Bringans, P. Steiner, Th. Wolf
Two-sphere model of photon emission from the scanning tunneling microscope
American Physical Society (APS) - Tập 57 Số 11 - Trang 6706-6714
Andrew Downes, M. E. Taylor, Mark E. Welland
STM-induced luminescence study of poly(p-phenylenevinylene) by conversion under ultraclean conditions
American Physical Society (APS) - Tập 56 Số 3 - Trang 1269-1278
S. F. Alvarado, W. Rieβ, Paul Seidler, Peter Strohriegl
Electronic structure of theBan+1PbnO3n+1homologous series
American Physical Society (APS) - Tập 42 Số 1 - Trang 359-365
L. F. Mattheiss
Thermally stimulated conductivity in disordered semiconductors at low temperatures
American Physical Society (APS) - Tập 55 Số 24 - Trang 16226-16232
S. D. Baranovskiǐ, Meifang Zhu, T. E. Faber, F. Hensel, P. Thomas, Mika Lindén, W. F. van der Weg
Limitations of the thermally stimulated conductivity as a technique for studying the density of states ofa-Si:H
American Physical Society (APS) - Tập 46 Số 15 - Trang 9792-9795
Jiang-Huai Zhou, Stephen R. Elliott
Passivation of dangling bonds in amorphous Si and Ge by gas adsorption
American Physical Society (APS) - Tập 35 Số 5 - Trang 2385-2390
Raphael Tsu, D. Martin, J. González‐Hernández, Stanford R. Ovshinsky
Tổng số: 1,855   
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 10