Scholar Hub/Chủ đề/#khí điện tử hai chiều/
Khí điện tử hai chiều là một dạng khí có tính chất của cả electron và positron, nghĩa là chúng có khả năng chuyển đổi từ electron sang positron và ngược lại. Mộ...
Khí điện tử hai chiều là một dạng khí có tính chất của cả electron và positron, nghĩa là chúng có khả năng chuyển đổi từ electron sang positron và ngược lại. Một số ví dụ về khí điện tử hai chiều bao gồm khí positron-electron và khí electron-dẫn. Các ứng dụng của khí điện tử hai chiều có thể bao gồm trong lĩnh vực vật lý hạt nhân và vật lý vật liệu.
Khí điện tử hai chiều là một khái niệm quan trọng trong vật lý hạt nhân và lý thuyết trường lượng tử. Nó có ý nghĩa quan trọng trong việc nghiên cứu các hiện tượng liên quan đến electron và positron, đặc biệt là trong ngữ cảnh của vật lý năng lượng cao và vật lý hạt nhân.
Trong môi trường năng lượng cao, việc nghiên cứu khí điện tử hai chiều có thể giúp hiểu sâu hơn về quá trình tiêu hủy và sinh sản của các loại hạt điện tử. Ngoài ra, nó cũng có thể đóng vai trò quan trọng trong việc hiểu về tính chất của vật liệu và chất lỏng có chứa electron và positron.
Các nghiên cứu về khí điện tử hai chiều đang tiếp tục phát triển và sẽ đóng góp vào sự hiểu biết sâu sắc hơn về các hiện tượng liên quan đến electron và positron, từ đó mở ra tiềm năng ứng dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau của vật lý và kỹ thuật.
Ngoài các ứng dụng trong vật lý hạt nhân và lý thuyết trường lượng tử, khí điện tử hai chiều cũng có những ứng dụng tiềm năng trong lĩnh vực công nghệ. Ví dụ, nó có thể được áp dụng trong các thiết bị bán dẫn năng lượng cao và các loại cảm biến mới dựa trên các tính chất đặc biệt của electron và positron.
Ngoài ra, việc nghiên cứu và hiểu sâu hơn về khí điện tử hai chiều có thể mở ra cửa cho việc phát triển các loại vật liệu mới có tính chất đặc biệt, có thể ứng dụng trong các lĩnh vực như lưu trữ năng lượng, viễn thông và vật liệu siêu dẫn.
Do đó, nghiên cứu về khí điện tử hai chiều không chỉ quan trọng từ góc độ lý thuyết mà còn có tiềm năng ứng dụng rộng rãi trong các lĩnh vực công nghệ hiện đại.
THế GIAM CầM Và PHÂN Bố KHí ĐIệN Tử TRONG CấU TRúC Dị CHấT ĐƠN DựA TRÊN NềN OXIT KẽM Và HợP KIM CủA Nó Ở NHIệT Độ THấP Tạp chí Khoa học Đại học cần Thơ - - 2010
Các linh kiện bán dẫn tốc độ cao là thành phần chính của hệ thống kỹ thuật truyền thông vì chúng có thể điều khiển các tín hiệu số hay các tín hiệu tương tự ở tần số cao và tốc độ cao. Trong khoảng tần số cần quan tâm, các linh kiện dựa trên Si vốn đã có những giới hạn các tham số vật liệu như độ linh động ở tầng đảo và vận tốc bão hòa. ZnO là một ứng viên đáng chú ý để thay thế Si bởi những đặc tính vượt trội của nó như đặc tính hóa học ổn định, khả năng hoạt động ở công suất cao và đặc tính phát xạ bức xạ quang điện tử ở màu xanh và cực tím [1]. Nhiều kỹ thuật bán dẫn đã được phát triển để nuôi ZnO và MgZnO trên nền sapphire theo cả hai hướng phân cực O và phân cực Zn [2, 3]. Trong các nghiên cứu này sự hình thành khí điện tử hai chiều (2DEG) trong cấu trúc dị chất MgZnO/ZnO và một số đặc tính vật lý của chúng đã được đánh giá. Mối liên hệ giữa cấu trúc linh kiện và sự phân cực đã được thảo luận. Tuy nhiên, một số tính chất điện chưa được đánh giá chi tiết, đặc biệt là ảnh hưởng của phân cực lên sự hình thành 2DEG. Trong báo cáo này, chúng tôi muốn thể hiện vai trò của các thế giam giữ điện tử có thể ảnh hưởng đến đặc tính lượng tử của 2DEG trong giếng lượng tử dựa trên MgZnO/ZnO. Chúng tôi chứng minh sự ảnh hưởng của phân cực tự phát và phân cực áp điện lên phân bố của 2DEG, mà nó sẽ ảnh hưởng lên sự vận chuyển của điện tử trong các giếng lượng tử dựa trên ZnO.
#Vật lý nano #giếng lượng tử #khí điện tử hai chiều #độ linh động #khe năng lượng
Độ RộNG VạCH PHổ HấP THụ TạO BởI CấU TRúC GIếNG LƯợNG Tử ALGAAS/GAAS/ALGAAS PHA TạP ĐIềU BIếN DO TáN Xạ NHáM Bề MặT Tạp chí Khoa học Đại học cần Thơ - Số 27 - Trang 95-102 - 2013
Chúng tôi tính toán và khảo sát ảnh hưởng của các tham số đặc trưng của hệ giếng lượng tử thực AlGaAs/GaAs/AlGaAs pha tạp điều biến đến sự phân bố khí điện tử hai chiều trong giếng lượng tử bằng phương pháp biến phân. Kết quả tính ghi nhận được rằng có sự thay đổi đáng kể sự phân bố điện tử trong giếng ở trạng thái cơ bản và trạng thái kích thích theo cấu hình tạp của hệ pha tạp điều biến. Từ đó, chúng tôi đánh giá ảnh hưởng của các tham số đặc trưng cho cấu hình tạp và cấu hình nhám lên độ rộng vạch phổ hấp thụ. Chúng tôi cho rằng sự thay đổi phân bố là nguyên nhân làm thay đổi cường độ tán xạ nhám bề mặt, vì thế làm thay đổi độ mở rộng vạch phổ hấp thụ bởi hiện tượng chuyển dời quang giữa hai vùng con thấp nhất nhưng hiệu ứng này ít được đề cập trước đây.
#Cấu trúc nano #giếng lượng tử #khí điện tử hai chiều #độ mở rộng vạch phổ #cấu trúc dị chất #cấu hình tạp
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử bán parabol phân cực Tạp chí Khoa học Đại học cần Thơ - Số 37 - Trang 90-96 - 2015
Trong nghiên cứu này, chúng tôi khảo sát sự phân bố khí điện tử ở trạng thái cơ bản và trạng thái kích thích thứ nhất trong cấu trúc giếng lượng tử bán parabol dựa trên vật liệu có tính phân cực điện. Chúng tôi đã xác định các thế giam cầm và tính giá trị năng lượng trung bình ứng với một electron bằng phương pháp biến phân, từ đó xác định các tham số biến phân để khảo sát sự phân bố khí điện tử. Đặc biệt, nghiên cứu đã xác định được vai trò của phân cực điện đến hiệu ứng giam giữ lượng tử khí điện tử hai chiều trong cấu trúc giếng lượng tử bán parabol hình thành dựa trên hệ vật liệu AlN/GaN/AlGaN pha tạp điều biến. Kết quả nhận được cho thấy sự phân bố khí điện tử bị chi phối mạnh bởi các điện tích phân cực tồn tại ở tiếp giáp dị chất.
#Cấu trúc thấp chiều #giam cầm lượng tử #giếng lượng tử bán parabol #khí điện tử hai chiều #hiện tượng hấp thụ quang #pha tạp điều biến
ĐỘ LINH ĐỘNG CỦA KHÍ ĐIỆN TỬ HAI CHIỀU TỒN TẠI TRONG MGZNO/ZNO CÓ CÁC CẤU HÌNH TẠP KHÁC NHAU Tạp chí Khoa học Đại học cần Thơ - Số 24b - Trang 131-139 - 2012
Độ linh động của khí điện tử hai chiều (2DEG) tồn tại trong các cấu trúc dị chất chịu sự chi phối bởi nhiều yếu tố. Một trong những yếu tố đó là cấu hình tạp của chúng. Cấu hình tạp không những chi phối sự phân bố khí điện tử trong giếng lượng tử của cấu trúc dị chất mà nó còn ảnh hưởng đến độ linh động của khí điện tử. Để có hệ hạt tải hai chiều tồn tại trong cấu trúc dị chất có nồng độ cao người ta thường pha tạp cho hệ. Tuy nhiên, với hệ vật liệu MgZnO/ZnO không cần pha tạp, hệ điện tử tồn tại trong hệ vẫn có nồng độ cao do đặc tính phân cực của chúng. Chúng tôi đánh giá ảnh hưởng của các cấu hình tạp khác nhau (đồng đều, điều biến và dạng delta) lên sự phân bố khí điện tử và độ linh động điện tử tồn tại trong các giếng lượng tử tạo bởi các cấu trúc dị chất MgZnO/ZnO khác nhau.
#Vật lý nano #giếng lượng tử #khí điện tử hai chiều #độ linh động #cấu trúc dị chất #cấu hình tạp
Phương pháp toán tử cho bài toán tương tác điện tử – lỗ trống của khí điện tử hai chiều với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn Normal 0 false false false MicrosoftInternetExplorer4 Phương pháp toán tử cho bài toán tương tác điện tử – lỗ trống của khí điện tử hai chiều với sự có mặt của từ trường và thế màn chắn
/* Style Definitions */
table.MsoNormalTable
{mso-style-name:"Table Normal";
mso-tstyle-rowband-size:0;
mso-tstyle-colband-size:0;
mso-style-noshow:yes;
mso-style-parent:"";
mso-padding-alt:0in 5.4pt 0in 5.4pt;
mso-para-margin:0in;
mso-para-margin-bottom:.0001pt;
mso-pagination:widow-orphan;
font-size:10.0pt;
font-family:"Times New Roman";
mso-ansi-language:#0400;
mso-fareast-language:#0400;
mso-bidi-language:#0400;}
