Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nứt xoắn Rashba và cộng hưởng cyclotron trong các cấu trúc dị thể InGaAs/InP bị căng với khí điện tử hai chiều
Tóm tắt
Nghiên cứu thực nghiệm về cộng hưởng cyclotron và chuyên chở từ tính trong các cấu trúc dị thể InP/InGaAs/InP với giếng lượng tử đối xứng trục được thực hiện ở nhiệt độ 4.2 K. Kết quả cho thấy khối lượng cyclotron ở mức Fermi tăng từ 0.047m₀ lên 0.057m₀ khi nồng độ điện tử hai chiều tăng từ 5.5 × 10¹¹ đến 2.1 × 10¹² cm⁻³. Các giá trị của nứt xoắn Rashba tại mức Fermi được xác định thông qua phân tích Fourier các dao động Shubnikov-de Haas. Dữ liệu thực nghiệm thu được được so sánh với các kết quả lý thuyết từ các phép tính tự nhất quán về quang phổ năng lượng và khối lượng cyclotron của điện tử 2D được thực hiện bằng cách sử dụng Hamiltonian k · p tám băng.
Từ khóa
#nứt xoắn Rashba #cộng hưởng cyclotron #cấu trúc dị thể #điện tử hai chiều #phân tích Fourier #dao động Shubnikov-de Haas #Hamiltonian k · pTài liệu tham khảo
Yu. G. Sadofyev, A. Ramamoorthy, B. Naser, J. P. Bird, S. R. Johnson, and Y.-H. Zhang, Appl. Phys. Lett. 81, 1833 (2002).
G. A. Khodaparast, R. C. Meyer, X. H. Zhang, T. Kasturiarachchi, R. E. Doezema, S. J. Chung, N. Goel, M. B. Santos, and Y. J. Wang, Physica E 20, 386 (2004).
V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, Yu. G. Sadofyev, and K. E. Spirin, Semiconductors 42, 828 (2008).
A. M. Gilbertson, W. R. Branford, M. Fearn, L. Buckle, P. D. Buckle, T. Ashley, and L. F. Cohen, Phys. Rev. B 79, 235333 (2009).
V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, A. A. Lastovkin, K. V. Maremyanin, Yu. G. Sadofyev, and K. E. Spirin, Semiconductors 44, 616 (2010).
V. I. Gavrilenko, S. S. Krishtopenko, and M. Goiran, Semiconductors 45, 110 (2011).
S. S. Krishtopenko, K. P. Kalinin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadofyev, and M. Goiran, Semiconductors 46, 1163 (2012).
K. E. Spirin, K. P. Kalinin, S. S. Krishtopenko, K. V. Maremyanin, V. I. Gavrilenko, and Yu. G. Sadofyev, Semiconductors 46, 1396 (2012).
Yu. A. Bychkov and E. I. Rashba, JETP Lett. 39, 78 (1984).
S. S. Krishtopenko, V. I. Gavrilenko, and M. Goiran, J. Phys.: Condens. Matter 23, 385601 (2011).
S. S. Krishtopenko, V. I. Gavrilenko, and M. Goiran, Solid State Phenom. 190, 554 (2012).
S. S. Krishtopenko, V. I. Gavrilenko, and M. Goiran, J. Phys.: Condens. Matter 24, 135601 (2012).
S. S. Krishtopenko, V. I. Gavrilenko, and M. Goiran, J. Phys.: Condens. Matter 24, 252201 (2012).
S. S. Krishtopenko, J. Phys.: Condens. Matter 25, 105601 (2013).
S. S. Krishtopenko, V. I. Gavrilenko, and M. Goiran, Phys. Rev. B 87, 155113 (2013).
I. G. Savel’ev, A. M. Kreshchuk, S. V. Novikov, A. Y. Shik, G. Remenyi, Gy. Kovács, B. Pôdör, and G. Gombos, J. Phys.: Condens. Matter 8, 9025 (1996).
B. Kowalski, P. Omling, B. K. Meyer, D. M. Hofmann, V. Härle, F. Scholz, and P. Sobkowicz, Semicond. Sci. Technol. 11, 1416 (1996).
S. A. Studenikin, P. T. Coleridge, N. Ahmed, P. J. Poole, and A. Sachrajda, Phys. Rev. B 68, 035317 (2003).
Th. Schäpers, V. A. Guzenko, A. Bringer, M. Akabori, M. Hagedorn, and H. Hardtdegen,, Semicond. Sci. Technol. 24, 064001 (2009).
Y. M. Zhou, G. Yu, L. M. Wei, K. H. Gao, W. Z. Zhou, T. A. Lin, L. Y. Shang, S. L. Guo, J. H. Chu, N. Dai, and D. G. Austing, J. Appl. Phys. 107, 053708 (2010).
G. Engels, J. Lange, Th. Schäpers, and H. Lüth,, Phys. Rev. B 55, 1958 (1997).
M. J. Yang, R. J. Wagner, B. V. Shanabrook, J. R. Waterman, and W. J. Moore, Phys. Rev. B 47, 6807 (1993).
M. J. Yang, P. J. Lin-Chung, B. V. Shanabrook, J. R. Waterman, R. J. Wagner, and W. J. Moore, Phys. Rev. B 47, 1691 (1993).
V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, Yu. G. Sadofyev, J. P. Bird, S. R. Jonhson, and Y.-H. Zhang, Semiconductors 39, 62 (2005).
Yu. B. Vasilyev, F. Gouider, G. Nachtwei, and P. D. Buckle, Semiconductors 44, 1511 (2010).
F. Gouider, Yu. B. Vasilyev, M. Bugar, J. Konemann, P. D. Buckle, and G. Nachtwei, Phys. Rev. B 81, 155304 (2010).
A. Ikonnikov, S. Krishtopenko, V. Gavrilenko, Yu. Sadofyev, Yu. Vasilyev, M. Orlita, and W. Knap, J. Low Temp. Phys. 159, 197 (2010).
S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, K. V. Maremyanin, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadofyev, M. Goiran, M. Sadowsky, and Yu. B. Vasilyev, J. Appl. Phys. 111, 093711 (2012).
C. Wetzel, Al. L. Efros, A. Moll, B. K. Meyer, P. Omling, and P. Sobkowicz, Phys. Rev. B 45, 14052 (1992).
B. K. Meyer, M. Drechsler, C. Wetzel, H. Linke, P. Omling, V. Härle, and F. Scholz, Appl. Phys. Lett. 63, 657 (1993).
C. Wetzel, R. Winkler, M. Drechsler, B. K. Meyer, U. Rossler, J. Scriba, J. P. Kotthaus, V. Härle, and F. Scholz, Phys. Rev. B 53, 1038 (1996).
B. A. Foreman, Phys. Rev. B 56, 12748 (1997).
E. G. Novik, A. Pfeuffer-Jeschke, T. Jungwirth, V. Latussek, C. R. Becker, G. Landwehr, H. Buhmann, and L. W. Molenkamp, Phys. Rev. B 72, 035321 (2005).
R. Winkler, Surf. Sci. 361-362, 411 (1996).
E. O. Kane, in Proceedings of Narrow Gap Semiconductors. Physics and Applications, Nimes, 1979, Ed. by W. Zawadzki (Springer, New York, 1980).
I. Semenikhin, A. Zakharova, and K. A. Chao, Phys. Rev. B 77, 113307 (2008).
G. L. Bir and G. E. Pikus, Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Wiley, New York, 1974).
I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
L. Y. Shang, G. L. Yu, T. Lin, W. Z. Zhou, S. L. Gou, N. Dai, and J. H. Chu, Chin. Phys. Lett. 25, 2194 (2008).
B. A. Andreev, I. V. Erofeeva, V. I. Gavrilenko, A. L. Korotkov, A. N. Yablonskiy, O. Astafiev, Y. Kawano, and S. Komiyama, Semicond. Sci. Technol. 16, 300 (2001).
K. E. Spirin, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, Y. Kawaguchi, and S. Komiyama, Semicond. Sci. Technol. 23, 095014 (2008).