Độ dẫn quang của các cấu trúc electron hai chiều trong hình học Corbino ở dải sóng hạ milimét

Semiconductors - Tập 33 - Trang 889-891 - 1999
S. D. Suchalkin1, Yu. B. Vasil’ev1, S. V. Ivanov1, P. S. Kop’ev1
1A. F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Tóm tắt

Độ dẫn quang của một khí electron hai chiều trong dải hạ hồng ngoại dưới tác động của trường từ định lượng được nghiên cứu cho các mẫu trong hình học Corbino, điều này loại bỏ sự vận chuyển do các trạng thái biên. Kết quả cho thấy hiệu ứng quang điện không chỉ đơn thuần là phản ứng bolometric của hệ thống, mà còn đạt được một thành phần do sự tham gia trực tiếp của các hạt mang điện bị photoexcited trong các quá trình tán xạ năng lượng thấp.

Từ khóa

#độ dẫn quang #khí electron hai chiều #hình học Corbino #hiệu ứng quang điện #tán xạ năng lượng thấp

Tài liệu tham khảo

C. F. Lavine, R. J. Wagner, and D. C. Tsui, Surf. Sci. 113, 112 (1982). P. Stein, G. Ebert, K. von Klitzing, and G. Weimann, Surf. Sci. 142, 406 (1984). J. C. Maan, Th. Englert, D. C. Tsui, and A. C. Gossard, Appl. Phys. Lett. 40, 609 (1982). R. E. Horstman, E. G. van den Broek, J. Wolter, R. W. van der Heijden, G. L. J. A. Rikken, H. Sigg, P. M. Frijlink, J. Maluenda, and J. Hallais, Solid State Commun. 50, 753 (1984). M. J. Chou, D. C. Tsui, and A. Y. Cho, in Proceedings of the 18th International Conference on the Physics of Semiconductors, Stockholm, Sweden (1986) p. 437. E. Diezel, G. Muller, D. Weiss, K. von Klitzing, K. Ploog, H. Nickel, W. Schlapp, and R. Losch, Appl. Phys. Lett. 58, 2331 (1991). S. Suchalkin, Yu. B. Vasilyev, Yu. Ivanov, S. Ivanov, P. Kop’ev, B. Meltser, and T. Ohyama, Solid-State Electron. 40, 469 (1996). M. Buttiker, Phys. Rev. B 38, 9375 (1988). P. F. Fontein, P. Hendriks, F. A. P. Bloom, J. H. Walter, L. G. Giling, and C. W. J. Beenaker, Surf. Sci. 263, 91 (1992). V. T. Dolgonolov, N. B. Zhitenev, and A. A. Shashkin, JETP Lett. 52, 196 (1990). E. Yahel, A. Palevski, and H. Shtrikmann, in Proceedings of the 23th International Conference on the Physics of Semiconductors, Vol. 3, Berlin (1996), p. 2523. Yu. B. Vasil’ev, S. D. Suchalkin, Yu. L. Ivanov, S. V. Ivanov, P. S. Kop’ev, and I. G. Savel’ev, JETP Lett. 56, 379 (1992). Yu. L. Ivanov, Yu. B. Vasil’ev, and S. D. Suchalkin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 27, 1997 (1993) [Semiconductors 27, 1097 (1993)].