Công bố khoa học
Công cụ trích dẫn
Công bố khoa học
Trích dẫn
Tạp chí khoa học
Cơ quan đơn vị
Quản lý tài khoản
Danh mục đã lưu
Đăng xuất
Semiconductor Science and Technology
Công bố khoa học tiêu biểu
* Dữ liệu chỉ mang tính chất tham khảo
Sắp xếp:
A model for scattering due to interface roughness in finite quantum wells
Semiconductor Science and Technology
-
Tập 20 Số 12
- Trang 1207-1212
- 2005
J M Li
,
Jun-Bao Wu
,
Xiuxun Han
,
Yanwu Lü
,
X L Liu
,
Qin‐Feng Zhu
,
Z G Wang
49
Đi đến bài báo
Trích dẫn
Lưu lại
Theoretical limits of thermophotovoltaic solar energy conversion
Semiconductor Science and Technology
-
Tập 18 Số 5
- Trang S151-S157
- 2003
Nils‐Peter Harder
,
Peter W rfel
289
Đi đến bài báo
Trích dẫn
Lưu lại
Calculation of pure dephasing for excitons in quantum dots
Semiconductor Science and Technology
-
Tập 17 Số 11
- Trang 1172-1179
- 2002
E. Pazy
32
Đi đến bài báo
Trích dẫn
Lưu lại
Structure, properties and applications of Ge
x
Si
1-x
strained layers and superlattices
Semiconductor Science and Technology
-
Tập 6 Số 7
- Trang 547-576
- 1991
S.C. Jain
,
W. Hayes
173
Đi đến bài báo
Trích dẫn
Lưu lại
Lattice misfit and relative tilt of lattice planes in semiconductor heterostructures
Semiconductor Science and Technology
-
Tập 6 Số 7
- Trang 705-708
- 1991
A. Pesek
,
Kurt Hingerl
,
Ferenc Riesz
,
K. Lischka
41
Đi đến bài báo
Trích dẫn
Lưu lại
Improvement of the photoluminescence from gallium nitride layers grown by MBE with an additional incident indium flux
Semiconductor Science and Technology
-
Tập 13 Số 12
- Trang 1469-1471
- 1998
C. T. Foxon
,
S. E. Hooper
,
T.S. Cheng
,
John Orton
,
Guanzhou Ren
,
B. Ya. Ber
,
A. Merkulov
,
С. В. Новиков
,
V. V. Tret’yakov
16
Đi đến bài báo
Trích dẫn
Lưu lại
Surface photovoltage spectroscopy of an epitaxial ZnO/GaP heterojunction
Semiconductor Science and Technology
-
Tập 32 Số 5
- Trang 055005
- 2017
S. D. Singh
,
S. Porwal
,
A. K. Sinha
,
Tapas Ganguli
5
Đi đến bài báo
Trích dẫn
Lưu lại
High-temperature magnetic freezing in (Cs
1-x
Mn
x
)
3
As
2
Semiconductor Science and Technology
-
Tập 8 Số 1S
- Trang S37-S39
- 1993
E. Lähderanta
,
R. Laiho
,
A. Lashkul
,
Anita Mäkinen
,
V S Zakhvalinski
6
Đi đến bài báo
Trích dẫn
Lưu lại
Study of emitter width effects on β
F
,
f
T
and
f
max
of 200 GHz SiGe HBTs by DD, HD and EB device simulation
Semiconductor Science and Technology
-
Tập 24 Số 11
- Trang 115005
- 2009
Juan Miguel López González
,
M. Schröter
4
Đi đến bài báo
Trích dẫn
Lưu lại
High-mobility Si and Ge structures
Semiconductor Science and Technology
-
Tập 12 Số 12
- Trang 1515-1549
- 1997
F. Schäffler
738
Đi đến bài báo
Trích dẫn
Lưu lại
Tổng số: 70
1
2
3
4
5
6
7