Semiconductor Science and Technology

Công bố khoa học tiêu biểu

* Dữ liệu chỉ mang tính chất tham khảo

Sắp xếp:  
A model for scattering due to interface roughness in finite quantum wells
Semiconductor Science and Technology - Tập 20 Số 12 - Trang 1207-1212 - 2005
J M Li, Jun-Bao Wu, Xiuxun Han, Yanwu Lü, X L Liu, Qin‐Feng Zhu, Z G Wang
Theoretical limits of thermophotovoltaic solar energy conversion
Semiconductor Science and Technology - Tập 18 Số 5 - Trang S151-S157 - 2003
Nils‐Peter Harder, Peter W rfel
Quantum computation with quantum dot excitons
Semiconductor Science and Technology - Tập 19 Số 4 - Trang S392-S396 - 2004
H. Kamada, Hideki Gotoh
Calculation of pure dephasing for excitons in quantum dots
Semiconductor Science and Technology - Tập 17 Số 11 - Trang 1172-1179 - 2002
E. Pazy
Small compressive strain-induced semiconductor–metal transition and tensile strain-enhanced thermoelectric properties in monolayer PtTe2
Semiconductor Science and Technology - Tập 32 Số 5 - Trang 055004 - 2017
San‐Dong Guo, Yan Wang
Structure, properties and applications of GexSi1-xstrained layers and superlattices
Semiconductor Science and Technology - Tập 6 Số 7 - Trang 547-576 - 1991
S.C. Jain, W. Hayes
Compound formation and large microstrains at the interface of II-VI/III-V semiconductors detected by Raman spectroscopy
Semiconductor Science and Technology - Tập 6 Số 9A - Trang A109-A114 - 1991
A. Krost, W. Richter, Dietrich R. T. Zahn, O. Brafman
Lattice misfit and relative tilt of lattice planes in semiconductor heterostructures
Semiconductor Science and Technology - Tập 6 Số 7 - Trang 705-708 - 1991
A. Pesek, Kurt Hingerl, Ferenc Riesz, K. Lischka
Blue and green semiconductor lasers: a status report
Semiconductor Science and Technology - Tập 12 Số 11 - Trang 1337-1347 - 1997
A. V. Nurmikko, R. L. Gunshor
Optical properties of II-VI epitaxial layers
Semiconductor Science and Technology - Tập 6 Số 9A - Trang A51-A59 - 1991
J. Gutowski
Tổng số: 70   
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7