Pleiades Publishing Ltd

Nghiên cứu cho thấy rằng các khuyết tật nội tại chịu trách nhiệm cho các tính chất bán cách điện của SiC đại diện cho các divacancies Si-C trong trạng thái trung tính (V\nSi-V\nC)0, có trạng thái cơ sở triplet. Sơ đồ mức năng lượng và cơ chế tạo ra sự đảo ngược mật độ quang học của các mức phụ triplet trong trạng thái cơ sở của divacancy được xác định. Kết luận cho thấy rằng có một trạng thái kích thích đơn phân tử qua đó chất phân cực spin được thực hiện, và điều này mở ra khả năng phát hiện cộng hưởng từ học trên các divacancies đơn lẻ.