Xác định EPR trạng thái cơ sở triplet và đảo ngược mật độ quang học cho một divacancy Si-C trong carbide silic

Pleiades Publishing Ltd - Tập 82 - Trang 441-443 - 2005
P. G. Baranov1, I. V. Il’in1, E. N. Mokhov1, M. V. Muzafarova1, S. B. Orlinskii2, J. Schmidt2
1Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2Huygens Laboratory, Department of Physics, Leiden University, Leiden, The Netherlands

Tóm tắt

Nghiên cứu cho thấy rằng các khuyết tật nội tại chịu trách nhiệm cho các tính chất bán cách điện của SiC đại diện cho các divacancies Si-C trong trạng thái trung tính (V\nSi-V\nC)0, có trạng thái cơ sở triplet. Sơ đồ mức năng lượng và cơ chế tạo ra sự đảo ngược mật độ quang học của các mức phụ triplet trong trạng thái cơ sở của divacancy được xác định. Kết luận cho thấy rằng có một trạng thái kích thích đơn phân tử qua đó chất phân cực spin được thực hiện, và điều này mở ra khả năng phát hiện cộng hưởng từ học trên các divacancies đơn lẻ.

Từ khóa

#SiC #divacancy #trạng thái cơ sở triplet #đảo ngược mật độ quang học #cộng hưởng từ học

Tài liệu tham khảo

V. S. Vainer and V. A. Il’in, Sov. Phys. Solid State 23, 2126 (1981).

W. E. Carlos, E. R. Glaser, and D. V. Shanabrook, Physica B (Amsterdam) 340–342, 151 (2003).

Th. Lingner et al., Phys. Rev. B 64, 245 212 (2001).

J. H. N. Loubser and J. A. van Wyk, Rep. Prog. Phys. 41, 1201 (1978).

E. Sörman, N. T. Son, W. M. Chen, et al., Phys. Rev. B 61, 2613 (2000).

D. A. Redman, S. Brown, R. H. Sands, and S. R. Rand, Phys. Rev. Lett. 67, 3420 (1991).

S. B. Orlinski, J. Schmidt, E. N. Mokhov, and P. G. Baranov, Phys. Rev. B 67, 125207 (2003).

Mt. Wagner, N. Q. Thinh, N. T. Son, et al., Phys. Rev. B 66, 155214 (2002).

A. Gruber, A. Drabenstedt, C. Tietz, et al., Science 276, 2012 (1997); A. P. Nizovtsev, S. Ya. Kilin, F. Jelezko, et al., Physica B (Amsterdam) 340–342, 106 (2003).

Thông tin
Thông tin xuất bản

Pleiades Publishing Ltd

Tập 82

441-443

Thông tin tác giả