IEEE Transactions on Nuclear Science

Công bố khoa học tiêu biểu

* Dữ liệu chỉ mang tính chất tham khảo

Sắp xếp:  
Testing ethernet networks for the ATLAS data collection system
IEEE Transactions on Nuclear Science - Tập 49 Số 2 - Trang 516-520 - 2002
Frederick R.M. Barnes, Răzvan Beuran, R. Dobinson, M. J. LeVine, B. Martin, J. Lokier, Cătălin Meiroşu
Ethernet-based real-time control data bus
IEEE Transactions on Nuclear Science - Tập 49 Số 2 - Trang 478-482 - 2002
H. P. Laqua, H. Niedermeyer, I. Willmann
General architecture, implementation and performance of the digital feedback control in RFX
IEEE Transactions on Nuclear Science - Tập 47 Số 2 - Trang 186-191 - 2000
A. Luchetta, G. Manduchi
Novel Calibration Method for Switched Capacitor Arrays Enables Time Measurements With Sub-Picosecond Resolution
IEEE Transactions on Nuclear Science - Tập 61 Số 6 - Trang 3607-3617 - 2014
D Stricker-Shaver, S. Ritt, Bernd J. Pichler
A comparison of the effects of gamma irradiation on SiGe HBT and GaAs HBT technologies
IEEE Transactions on Nuclear Science - Tập 47 Số 6 - Trang 2521-2527 - 2000
S. Zhang, Guofu Niu, John D. Cressler, S.J. Mathew, Usha Gogineni, S.D. Clark, P.J. Zampardi, R.L. Pierson
Combined Effects of $^{60}$Co Dose and High Frequency Interferences on a Discrete Bipolar Transistor
IEEE Transactions on Nuclear Science - Tập 59 Số 6 - Trang 3004-3010 - 2012
Adrien Doridant, Jérémy Raoult, Sylvie Jarrix, Blain Amable, Patrick Hoffmann, N. Chatry, P. Calvel, L. Dusseau
Impact of Total Ionizing Dose on the Electromagnetic Susceptibility of a Single Bipolar Transistor
IEEE Transactions on Nuclear Science - Tập 59 Số 4 - Trang 860-865 - 2012
Adrien Doridant, Sylvie Jarrix, Jérémy Raoult, Blain Amable, N. Chatry, P. Calvel, Patrick Hoffmann, L. Dusseau
An investigation of the spatial location of proton-induced traps in SiGe HBTs
IEEE Transactions on Nuclear Science - Tập 45 Số 6 - Trang 2424-2429 - 1998
J. Roldán, Guofu Niu, W.E. Ansley, John D. Cressler, S.D. Clark, D. Ahlgren
Using proton irradiation to probe the origins of low-frequency noise variations in SiGe HBTs
IEEE Transactions on Nuclear Science - Tập 50 Số 6 - Trang 1816-1820 - 2003
Zhenrong Jin, Jarle André Johansen, John D. Cressler, Robert A. Reed, Paul W. Marshall, Alvin Joseph
Proton tolerance of advanced SiGe HBTs fabricated on different substrate materials
IEEE Transactions on Nuclear Science - Tập 51 Số 6 - Trang 3743-3747 - 2004
Jonathan P. Comeau, Akil K. Sutton, B.M. Haugerud, John D. Cressler, Wei-Min Lance Kuo, Paul W. Marshall, Robert A. Reed, A. Kar-Roy, Roger Van Art
Tổng số: 136   
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 10