Charge Funneling in N- and P-Type Si Substrates

IEEE Transactions on Nuclear Science - Tập 29 Số 6 - Trang 2017-2023 - 1982
F. B. McLean1, Timothy R. Oldham1
1Harry Diamond Laboratories, U.S. Army Electronics Research and Development Command, Adelphi, MD, USA

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1109/TNS.1982.4336490

hsieh, 1981, Proc IEEE Int Reliability Physics Symp, 38

ziegler, 1977, The Stopping and Ranges of Ions in Matter, 4

o'brien, 0, private communication

10.1109/EDL.1982.25467

10.1109/PROC.1967.6123

10.1109/EDL.1981.25357

10.1109/TNS.1982.4336497

10.1109/T-ED.1979.19370

Thông tin
Thông tin xuất bản

IEEE Transactions on Nuclear Science

Tập 29 Số 6

2017-2023

Thông tin tác giả