IEEE Transactions on Nuclear Science

SCOPUS (1963-2023)SCIE-ISI

ISSN: 1558-1578

E-ISSN: 0018-9499

Quốc gia: Mỹ

Cơ quản chủ quản: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. , IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC

Lĩnh vực:

Electrical and Electronic EngineeringNuclear and High Energy PhysicsNuclear Energy and Engineering

Các bài báo tiêu biểu

Geant4 developments and applications

Tập 53 Số 1 - Trang 270-278 - 2006

John E. Allison, C. Diaconu, J. Apostolakis, H. M. Araújo, Philippe Dúbois, M. Asai, Guy Barrand, R. Capra, Stéphane Chauvie, R Chytracek, G.A.P. Cirrone, Gene Cooperman, G. Cosmo, G. Cuttone, G.G. Daquino, M. Dönszelmann, M. Dressel, G. Folger, F. Foppiano, J. Generowicz, V. Grichine, Susanna Guatelli, P. Gumplinger, A. Heikkinen, Y. Hori, G. Fedi, S. Incerti, V. Ivanchenko, T. Johnson, F.W. Jones, T. Koffas, Р. П. Кокоулин, M. Kossov, H. Kurashige, V. Lara, S. Larsson, F. Lei, Óscar Link, F. Longo, M. Maire, A. Mantero, B. Mascialino, Ian P. L. McLaren, Patricia M. Di Lorenzo, K. Minamimoto, K. Murakami, P. Nieminen, L. Pandola, S. Parlati, L. Peralta, Joseph Perl, E. Meschi, V. Gracco, A. Ribon, Pedro Henrique Rodrigues, G. Russo, S.S Sadilov, G. Santin, T. Sasaki, Y. Smirnov, N. Starkov, J. Zhong, E. Vlasov, B. Tomé, A. Trindade, P.R. Truscott, László Urbán, M. Verderi, Andrew Walkden, J.P. Wellisch, D. C. Williams, T. Kolberg, Hajime Yoshida

Basic mechanisms and modeling of single-event upset in digital microelectronics

Tập 50 Số 3 - Trang 583-602 - 2003

P.E. Dodd, L. W. Massengill

Radiation Effects in MOS Oxides

Tập 55 Số 4 - Trang 1833-1853 - 2008

James R. Schwank, M.R. Shaneyfelt, Daniel M. Fleetwood, James Andrew Felix, P.E. Dodd, Philippe Paillet, Véronique Ferlet-Cavrois

Total ionizing dose effects in MOS oxides and devices

Tập 50 Số 3 - Trang 483-499 - 2003

Timothy R. Oldham, F. B. McLean

Importance of input data normalization for the application of neural networks to complex industrial problems

Tập 44 Số 3 - Trang 1464-1468 - 1997

Josep Solà, J. Sevilla

Collection of Charge on Junction Nodes from Ion Tracks

Tập 29 Số 6 - Trang 2024-2031 - 1982

George C. Messenger

Single event upset at ground level

Tập 43 Số 6 - Trang 2742-2750 - 1996

E. Normand

Non-proportionality in the scintillation response and the energy resolution obtainable with scintillation crystals

Tập 42 Số 6 - Trang 2190-2202 - 1995

P. Dorenbos, J.T.M. de Haas, C.W.E. van Eijk

Radiation effects in SOI technologies

Tập 50 Số 3 - Trang 522-538 - 2003

J.R. Schwank, V. Ferlet-Cavrois, M.R. Shaneyfelt, Philippe Paillet, P.E. Dodd

Multiple hit readout of a microchannel plate detector with a three-layer delay-line anode

Tập 49 Số 5 - Trang 2477-2483 - 2002

O. Jagutzki, A. Cerezo, A. Czasch, R. Dörner, M. Hattas, Min Huang, V. Mergel, U. Spillmann, K. Ullmann-Pfleger, T. Weber, H. Schmidt‐Böcking, George David Smith

Các tạp chí khác

Scholar Hub - Công cụ hỗ trợ trích dẫn và phân tích khoa học Việt Nam

Về chúng tôi

Scholar Hub là công cụ hỗ trợ trích dẫn và phân tích các bài báo, công bố khoa học Việt Nam. Công cụ trợ giúp người nghiên cứu, tạp chí, đơn vị nghiên cứu tra cứu, phân tích và thống kê dữ liệu nghiên cứu khoa học tại Việt Nam và quốc tế.
ScholarHub KHÔNG đăng thông tin tổng hợp, KHÔNG đăng lại nội dung từ các trang báo chí Việt Nam hoặc trang thông tin điện tử khác tại Việt Nam.

Thông tin, cập nhật

Đăng ký Tạp chí tham gia vào Scholar Hub

Phản hồi ý kiến về Scholar Hub

Bài viết, nội dung cập nhật

Chủ đề khoa học

Website liên kết

Phần mềm kiểm tra trùng lặp Kiểm Tra Tài Liệu

Phần mềm xuất bản tạp chí điện tử VOJS

Công cụ kiểm tra chính tả và thể thức Viver