Các hiệu ứng giam giữ phonon trong sự tán xạ Raman bởi nanocrystals TiO2

Applied Physics Letters - Tập 72 Số 1 - Trang 73-75 - 1998
Danilo Bersani1, Pier Paοlο Lottici1, Xing-zhao Ding2
1Physics Department, Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, University Viale delle Scienze, 43100 Parma, Italy
2Ion Beam Laboratory, Shanghai Institute of Metallurgy, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, People's Republic of China

Tóm tắt

TiO2 nanocrystalline đã được thu được bằng phương pháp sol-gel thông qua việc kiểm soát kích thước tinh thể thông qua tỷ lệ nước/alkoxide. Các phổ Raman của các tinh thể nan anatase với kích thước trung bình từ 9.5–13.4 nm được báo cáo và mối tương quan giữa hình dạng băng Raman (vị trí đỉnh và độ rộng băng) của đặc điểm chính ở 144 cm−1 và kích thước tinh thể được thảo luận. Trong hệ thống này, tác động của phi stoichiometry và áp suất đóng vai trò nhỏ, một mô hình dựa trên sự giam giữ phonon, lấy vào tài khoản phân bố kích thước như được xác định bởi hình ảnh kính hiển vi điện tử truyền qua, tái tạo một cách chính xác sự thay đổi hình dạng băng Raman.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

1981, Solid State Commun., 39, 625, 10.1016/0038-1098(81)90337-9

1986, Solid State Commun., 58, 739, 10.1016/0038-1098(86)90513-2

1993, Solid State Commun., 85, 307, 10.1016/0038-1098(93)90021-E

1992, Phys. Status Solidi B, 174, 575, 10.1002/pssb.2221740227

1991, Appl. Phys. Lett., 58, 1506, 10.1063/1.105160

1996, Appl. Phys. Lett., 69, 2409, 10.1063/1.117653

1993, J. Mater. Sci., 28, 177, 10.1007/BF00349049

1995, J. Mater. Sci. Lett., 14, 21, 10.1007/BF02565273

1995, Chin. Phys. Lett., 12, 123, 10.1088/0256-307X/12/2/017

1996, J. Mater. Sci. Lett., 15, 1789, 10.1007/BF00275343

1991, J. Am. Ceram. Soc., 74, 2309, 10.1111/j.1151-2916.1991.tb08303.x

1982, Opt. Spectrosc., 53, 332

1979, Solid State Commun., 30, 345

1990, J. Mater. Res., 5, 1246, 10.1557/JMR.1990.1246

1980, J. Phys. Soc. Jpn., 48, 1661, 10.1143/JPSJ.48.1661

1971, Phys. Rev. B, 3, 3457, 10.1103/PhysRevB.3.3457

Thông tin
Thông tin xuất bản

Applied Physics Letters

Tập 72 Số 1

73-75

Thông tin tác giả