Linear Thermal Expansion Coefficient of Silicon from 293 to 1000 K

International Journal of Thermophysics - Tập 25 Số 1 - Trang 221-236 - 2004
H. Watanabe1, N. Yamada1, Masahiro Okaji2,1
1Thermophysical Properties Section, National Metrology Institute of Japan, AIST, Tsukuba, Ibaraki, Japan
2International Affairs Department, AIST, Tsukuba, Ibaraki, Japan

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

Thông tin
Thông tin xuất bản

International Journal of Thermophysics

Tập 25 Số 1

221-236

Thông tin tác giả