High-Temperature Performance of Silicon Junctionless MOSFETs

IEEE Transactions on Electron Devices - Tập 57 Số 3 - Trang 620-625 - 2010
Chi‐Woo Lee1, Adrien Borne2, Isabelle Ferain1, Aryan Afzalian1, Ran Yan1, Nima Dehdashti Akhavan1, Pedram Razavi1, Jean-Pierre Colinge1
1Tyndall National Institute - University College Cork, Cork, Ireland
2Micro & Nanotechnol. Innovation Centre (MINATEC), Grenoble Nat. Polytech. Inst. (INPG), Grenoble, France

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1016/j.microrel.2006.10.002

10.1109/55.57923

10.1109/16.678551

10.1109/VLSIT.1998.689247

10.1109/ICMTS.2004.1309469

10.1007/978-1-4419-9106-5

sze, 1981, Physics of Semiconductor Devices, 28

10.1049/el:19880369

10.1109/16.30959

10.1063/1.3079411

10.1109/16.141236

2008

Thông tin
Thông tin xuất bản

IEEE Transactions on Electron Devices

Tập 57 Số 3

620-625

Thông tin tác giả