Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc Tính Điện và Điện Thái của Các Phim Mỏng SrTiO3 Được Trồng Bằng Kỹ Thuật PE-MOCVD
Tóm tắt
Các phim mỏng strontium titanate (SrTiO3) đã được trồng bằng kỹ thuật lắng đọng hơi hóa học kim loại hữu cơ tăng cường bằng plasma (PE-MOCVD) trên các vật liệu điện cực dưới khác nhau, chẳng hạn như Pt/MgO và YBCO/LaAlO3. Phim SrTiO3 đã được trồng thể hiện cấu trúc bề mặt epitaxial với hướng <100> vuông góc với các cơ sở, được kiểm tra qua phương pháp nhiễu xạ tia X (XRD). Các đặc tính điện và điện thái của các phim đã được nghiên cứu bằng các phép đo điện dung-điện áp (C-V) và dòng-điện áp (I-V) trong khoảng nhiệt độ từ 80K đến 300K. Hằng số điện và tổn thất điện thái được phát hiện lần lượt là 320 và 0.08 tại tần số 100 kHz và nhiệt độ phòng. Mật độ dòng rò dc và điện áp đánh thủng phụ thuộc mạnh vào lựa chọn vật liệu điện cực dưới. Đối với các phim được trồng trên YBCO/LaAlO3, mật độ dòng rò là 8.8×10−7 A/cm2 tại 200 kV/cm và điện áp đánh thủng khoảng 2.0 MV/cm. Những kết quả này cho thấy các phim SrTiO3 thích hợp cho nhiều ứng dụng thiết bị. Sự phụ thuộc vào tần số của hằng số điện và tổn thất điện thái đã được nghiên cứu trong khoảng từ 12 Hz đến 1 MHz tại nhiệt độ phòng. Khi tần số tăng, hằng số điện cho thấy sự giảm nhẹ, trong khi tổn thất điện thái thể hiện sự gia tăng mạnh, điều này có thể được quy cho tổn thất do điện trở của điện cực.
Từ khóa
#SrTiO3 #phim mỏng #PE-MOCVD #đặc tính điện #đặc tính điện thái #mật độ dòng rò #điện áp đánh thủngTài liệu tham khảo
J.F. Scott, Proceedings of the 8th ISAF, 356, August 31-September 2, 1992.
A. Greenwald, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 243, 457, (1992).
L.A. Wills, J. Crystal Growth, Vol. 107, 712, January (1991)
T. Sakuma, Appl. Phys. Lett., 57 (23), 2431, December (1990)
R.F. Pinizzotto, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 243, 463 (1992)
S. Liang, C. Chern, and Z.Q. Shi, will be published in Mat. Res. Soc. Symp. Proc., (1993)