Scholar Hub/Chủ đề/#phương pháp cvd/
CVD là viết tắt của Chemical Vapor Deposition, một phương pháp sản xuất các lớp mỏng vật liệu bằng cách sử dụng phản ứng hóa học của các chất hữu cơ và hơi hoặc...
CVD là viết tắt của Chemical Vapor Deposition, một phương pháp sản xuất các lớp mỏng vật liệu bằng cách sử dụng phản ứng hóa học của các chất hữu cơ và hơi hoặc khí trong môi trường không khí hoặc áp suất cao. Phương pháp này thường được sử dụng để tạo ra các lớp mỏng kim loại, oxit, nitrit, karbonit và silicat trên các bề mặt vật liệu rắn. CVD có thể được thực hiện ở nhiệt độ cao hoặc thấp tùy thuộc vào liệu pháp và ứng dụng cụ thể.
CVD là một quá trình quan trọng trong công nghiệp sản xuất điện tử và vật liệu hiện đại. Phương pháp này được sử dụng để tạo ra các lớp mỏng chất bán dẫn silicon và các oxit phức tạp như silicat và alumina trên các vi mạch điện tử, cảm biến và bộ cảm biến. CVD cũng được sử dụng để tạo ra các lớp công nghệ cao như các lớp phủ chống trầy xước, chịu nhiệt, và chịu hóa chất.
CVD có thể được phân loại thành các dạng sau:
1. CVD hóa hơi (Thermal CVD): Sử dụng nhiệt độ cao từ 500°C trở lên để kích thích các phản ứng hóa học.
2. CVD plasma (Plasma-Enhanced CVD): Sử dụng sự ion hóa hoặc kích thích plasma để tạo ra các loại hóa chất phản ứng, giảm nhiệt độ và tăng tốc độ phản ứng.
3. CVD áp suất thấp (Low Pressure CVD): Sử dụng áp suất thấp để tạo ra lớp mỏng.
4. CVD ngưng tụ hóa hơi (Metal Organic CVD - MOCVD): Sử dụng hợp chất hữu cơ của kim loại để phản ứng và tạo ra lớp mỏng kim loại trên bề mặt.
Phương pháp CVD cung cấp khả năng kiểm soát chính xác độ dày và thành phần của lớp mỏng, dẫn đến sản phẩm chất lượng cao cho nhiều ứng dụng công nghiệp.
Phương pháp CVD cho phép sản xuất các lớp mỏng với độ dày từ vài nanomet đến vài micron, và cung cấp khả năng định hình chính xác và kiểm soát kích thước của lớp phủ. CVD cũng có thể được sử dụng để tạo ra các mô hình phức tạp, bao gồm cả các cấu trúc nano và mô hình 3D.
Ứng dụng chính của CVD bao gồm sản xuất vi mạch điện tử, cảm biến và bộ cảm biến, cũng như sản xuất các vật liệu chịu nhiệt, chịu ăn mòn và chịu mài mòn cho ngành công nghiệp. CVD cũng đã được sử dụng rộng rãi trong sản xuất pin mặt trời và đèn LED để tạo ra các lớp mạ đặc biệt với hiệu suất cao.
Tuy nhiên, phương pháp CVD cũng có một số hạn chế, bao gồm các yêu cầu nghiêm ngặt về độ phẳng của bề mặt phủ, cũng như vấn đề về quản lý và loại bỏ an toàn các chất thải hóa học liên quan đến quá trình sản xuất.
Siêu mạng HgTe-CdTe được trồng bằng phương pháp Photo-MOCVD Dịch bởi AI Springer Science and Business Media LLC - Tập 90 - 1986
TÓM TẮTSiêu mạng HgTe-CdTe đã được trồng lần đầu tiên bằng phương pháp MOCVD hỗ trợ ánh sáng. Nhiệt độ của nền là 182°C. Siêu mạng đã được tạo ra mặc dù tốc độ tăng trưởng thấp yêu cầu thời gian tăng trưởng dài (∼10 giờ). Sự khuếch tán trong quá trình tăng trưởng có thể bị làm chậm lại bằng cách trồng dưới hơi Hg bão hòa để giảm thiểu sự hình thành lỗ trống cation....... hiện toàn bộ
Tổng hợp cacbon nano ống bằng phương pháp kết tụ hóa học trong pha hơi sử dụng ethane làm nguồn cacbonTạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Đà Nẵng - - Trang 63-66 - 2014
Cacbon nano ống (CNTs) đã được quan tâm bởi cộng đồng khoa học kể từ thời điểm công bố kết quả của hai nhóm nghiên cứu S. Iijima và D.S. Bethune vào năm 1993. Nhờ vào những tính chất ưu việt của CNTs mà chúng được ứng dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau. Kết tụ hóa học trong pha hơi (CVD) là phương pháp thường được sử dụng trong tổng hợp CNTs vì có nhiều ưu điểm. Ở nghiên cứu này, tác giả đã sử dụ...... hiện toàn bộ
#CNTs #Phương pháp CVD #xúc tác Fe/γ-Al2O3 #phổ quang điện tử tia X (XPS) #BET #kính hiển vi điện tử quét (SEM) #kính hiển vi điển tử truyền qua (TEM)
Các phương pháp hình thành cấu trúc khoảng trống khí sử dụng PECVD Dịch bởi AI Springer Science and Business Media LLC - Tập 914 - 2006
Tóm tắtViệc chế tạo các tính năng khoảng trống khí đã được thực hiện thông qua ba quy trình sử dụng sự khuếch tán của vật liệu qua một lớp OSG xốp. Quy trình đầu tiên liên quan đến sự phân hủy của một chất liệu hữu cơ được lắng đọng bằng PECVD, có thể bằng cách nhiệt hoặc thông qua quá trình nung bằng UV, để tạo ra một khoảng trống với các sản phẩm phân hủy khuếch ...... hiện toàn bộ
TỔNG HỢP CARBON NANO SỢI TRÊN CÁC CHẤT MANG CÓ CẤU TRÚCTạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Đà Nẵng - - Trang 149-152 - 2017
Cacbon nano sợi đã được nghiên cứu ứng dụng cho nhiều lĩnh vực khác nhau trong những thập niên vừa qua nhờ vào tính chất ưu việt của chúng. Tuy nhiên, quá trình tổng hợp thường thu được CNFs với kích thước nanomet, do đó khi sử dụng làm chất mang cho xúc tác cho các thiết bị phản ứng thì sẽ gặp phải một số nhược điểm như khó khăn trong việc phân tách xúc tác ra khỏi sản phẩm sau phản ứng, hay trở ...... hiện toàn bộ
#CNFs #composite #BET #SEM. #phương pháp CVD
Tổng hợp với hiệu suất cao carbon nano ống bằng phương pháp lắng đọng từ pha hơi và sử dụng hơi nướcTạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam (bản B) - Tập 59 Số 9 - 2017
Trong hơn 2 thập niên vừa qua, vật liệu carbon nano ống (CNTs) đã thu hút sự quan tâm của nhiều nhà khoa học trên thế giới. Nhờ vào những tính chất đặc biệt mà chúng được ứng dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau. Ở nghiên cứu này, CNTs được tổng hợp bằng phương pháp kết tụ hóa học trong pha hơi (CVD - Chemical vapor deposition) trên chất xúc tác Fe/γ-Al2O3 sử dụng khí dầu mỏ hóa lỏng (LP...... hiện toàn bộ
#BET #CNTs #phương pháp CVD #Raman #SEM #TEM #XPS
Lớp mỏng 3C-SiC bằng phương pháp epitaxy Hot Filament CVD trên nền 6H và 3C-SiC Dịch bởi AI Springer Science and Business Media LLC - Tập 2 - Trang 289-294 - 2017
Lần đầu tiên, chúng tôi báo cáo sự phát triển của tinh thể đơn 3C-SiC chất lượng cao được chuyển tiếp trên nền silicon carbide lục giác bằng cách sử dụng Phương pháp Lắng đọng Hơi Hóa học Bằng Dây Nóng (HF-CVD) trên các wafer 4” hoàn chỉnh. Các phép đo tán xạ tia X cong cho kết quả chiều rộng toàn phần tại nửa cực đại (FWHM) thấp tới 88 giây cung cổ cho một lớp dày 40 µm. Chúng tôi đạt được chất l...... hiện toàn bộ
#3C-SiC #Hot Filament CVD #epitaxy #silicon carbide #chất lượng tinh thể
Lớp phủ B4C/Ni được chuẩn bị bằng phương pháp phun lạnh từ bột trộn hoặc bột được phủ CVD Dịch bởi AI Journal of Thermal Spray Technology - Tập 21 - Trang 561-570 - 2012
Trong nghiên cứu này, các cấu trúc vi mô của lớp phủ B4C/Ni được tạo ra bằng phương pháp phun lạnh với các hỗn hợp bột hoặc bột phủ Ni bằng hơi hóa học (CVD) đã được điều tra và so sánh. Các hỗn hợp bột bao gồm bột Ni và bột B4C thô hoặc mịn đã được chuẩn bị với tỷ lệ B4C khác nhau từ 54 đến 87 vol.% (tương đương 25-65 wt.%). Ba lô bột B4C được phủ Ni bằng CVD cũng được tổng hợp với tỷ lệ B4C khác...... hiện toàn bộ
#B4C #Ni #lớp phủ composite #phun lạnh #bột phủ CVD
Sửa đổi bề mặt của ống nano carbon đa lớp bằng phương pháp MOCVD để tạo cho chúng các tính chất lý hóa cần thiết Dịch bởi AI Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques - Tập 3 - Trang 554-558 - 2009
Các ống nano carbon chứa sắt đa lớp đã được tổng hợp bằng phương pháp MOCVD thông qua quá trình nhiệt phân hỗn hợp ferrocene và toluen trong dòng argon ở áp suất khí quyển. Bằng cách sử dụng phương pháp MOCVD với nhiệt phân chân không các hợp chất bis-arene-chromium lên bề mặt của ống nano carbon đa lớp (MWCNTs), các lớp chromium nhiệt phân đã được lắng đọng và các vật liệu composite mới MWCNT/chr...... hiện toàn bộ
#ống nano carbon #ferrocene #toluen #MOCVD #vật liệu composite #hợp chất bis-arene-chromium
