Opto-Electronics Review

Công bố khoa học tiêu biểu

* Dữ liệu chỉ mang tính chất tham khảo

Sắp xếp:  
Polycrystalline lead selenide: the resurgence of an old infrared detector
Opto-Electronics Review - Tập 15 - Trang 110-117 - 2007
G. Vergara, M. T. Montojo, M. C. Torquemada, M. T. Rodrigo, F. J. Sánchez, L. J. Gómez, R. M. Almazán, M. Verdú, P. Rodríguez, V. Villamayor, M. Álvarez, J. Diezhandino, J. Plaza, I. Catalán
The existing technology for uncooled MWIR photon detectors based on polycrystalline lead salts is stigmatized for being a 50-year-old technology. It has been traditionally relegated to single-element detectors and relatively small linear arrays due to the limitations imposed by its standard manufacture process based on a chemical bath deposition technique (CBD) developed more than 40 years ago. Re...... hiện toàn bộ
Tunability of discrete diffraction in photonic liquid crystal fibres
Opto-Electronics Review - Tập 22 - Trang 207-217 - 2014
K. A. Rutkowska, U. A. Laudyn, P. S. Jung
In this paper theoretical and experimental results regarding discrete light propagation in photonic liquid crystal fibres (PLCFs) are presented. Particular interest is focused on tunability of the beam guidance obtained due to the variation in either external temperature or optical power (with assumption of thermal nonlinearity taking place in liquid crystals). Highly tunable (discrete) diffractio...... hiện toàn bộ
Study of MOCVD growth of InGaAsSb/AlGaAsSb/GaSb heterostructures using two different aluminium precursors TMAl and DMEAAl
Opto-Electronics Review - Tập 19 - Trang 140-144 - 2011
M. Wesołowski, W. Strupiński, M. Motyka, G. Sęk, E. Dumiszewska, P. Caban, A. Jasik, A. Wójcik, K. Pierściński, D. Pierścińska
The antimonide laser heterostructures growth technology using MBE epitaxy is currently well-developed, while MOVPE method is still being improved. It is known that the principal problem for MOVPE is the oxygen and carbon contamination of aluminium containing waveguides and claddings. The solution would be to apply a proper aluminium precursor. In this study we present the results of metal-organic ...... hiện toàn bộ
Các hợp chất và hỗn hợp tinh thể lỏng có độ nhớt thấp, độ phân cực cao Dịch bởi AI
Opto-Electronics Review - Tập 15 - Trang 47-51 - 2007
R. Dąbrowski, J. Dziaduszek, A. Ziółek, Ł. Szczuciński, Z. Stolarz, G. Sasnouski, V. Bezborodov, W. Lapanik, S. Gauza, S. T. Wu
Hai loại hỗn hợp chuyển đổi nhanh với độ tính điện dương cao đã được mô tả. Loại đầu tiên, có độ phân cực dưới 0,3, được thiết kế cho các thiết bị hoạt động ở nhiệt độ phòng hoặc thấp hơn, và loại thứ hai, có độ phân cực cao hơn 0,3, dành cho các thiết bị hoạt động ở nhiệt độ cao hơn.
#hỗn hợp tinh thể lỏng #độ nhớt thấp #độ phân cực cao #chuyển đổi nhanh
A novel data hiding and reversible scheme using SMN blocks in VQ-compressed images
Opto-Electronics Review - Tập 19 - Trang 225-233 - 2011
C. -T. Huang, W. -J. Wang, S. -J. Wang
Data hiding is a technique for embedding secret data into cover media. It is important to multimedia security and has been widely studied. Reversible data hiding methods are becoming prevalent in the area because they can reconstruct the original cover image while extracting the embedded data. In this paper, we propose a new reversible method for vector quantization (VQ) compressed images. Our met...... hiện toàn bộ
Local crystalline structure of multinary semiconducting alloys: Random vs. ordered distributions
Opto-Electronics Review - Tập 25 - Trang 242-250 - 2017
A. Kisiel, B.V. Robouch, A. Marcelli
Filtered thermal contrast based technique for testing of material by infrared thermography
Opto-Electronics Review - Tập 19 - Trang 234-241 - 2011
S. Gryś
A new kind of thermal contrast, called “filtered contrast” is presented, which allows detecting and characterizing material defects using active thermography under some assumptions on physical and thermal parameters of materials. In opposition to known definitions of the thermal contrast, knowledge about defect-free area is not necessary and this contrast is less sensitive to nonuniformity of heat...... hiện toàn bộ
Influence of anomalous dispersion mirror properties on quantum efficiency of InGaAs/GaAs resonant cavity photodetector
Opto-Electronics Review - Tập 19 - Trang 296-300 - 2011
S. V. Gryshchenko, A. A. Demin, I. A. Sukhoivanov, V. V. Lysak
We present a theoretical analysis of the quantum efficiency of a resonant cavity enhanced InGaAs/GaAs p-i-n photodetector (PD) for the ultrashort optical connections. The numerical method of calculation of quantum efficiency combining a transfer matrix method and an energy conservation law is offered. Using anomalous dispersion (AD) mirror, flat-topped QE spectrum has been obtained. Conditions for...... hiện toàn bộ
Alternative transparent conducting electrode materials for flexible optoelectronic devices
Opto-Electronics Review - Tập 26 - Trang 223-235 - 2018
S. Sharma, S. Shriwastava, S. Kumar, K. Bhatt, C. Charu Tripathi
Tổng số: 377   
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 10