Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Gia tốc kế hầm gắn wafer, dải động cao, silicon tinh thể đơn
SENSORS, 2002 IEEE - Tập 2 - Trang 860-863 vol.2
Tóm tắt
Bài báo này trình bày về một gia tốc kế hầm có dải động cao (106 g) được chế tạo bằng quy trình gắn wafer chính xác (< 1 um độ lệch) và quy trình giải phóng ướt. Thiết bị cantilever silicon tinh thể đơn này không có các kết nối điện kim loại trên cantilever cho thấy độ ổn định thiên lệch lâu dài vượt trội so với các gia tốc kế hầm được chế tạo bằng phương pháp vi chế tạo bề mặt trước đây. Một vòng điều khiển ASIC cũng có thể được tích hợp với cảm biến để sản xuất với chi phí thấp.
Từ khóa
#Dải động #Silicon #Hầm #Gắn wafer #Gia tốc kế #Vật liệu tinh thể #Chất nền #Sản xuất #Biến dạng #Chế tạoTài liệu tham khảo
10.1109/55.496466
rockstad, 1994, Sensors and Actuators, a43, 107, 10.1016/0924-4247(93)00676-U
teh, 0, Transducers '99, 508
kubena, 2000, Mat Res Soc Symp Proc, 657