Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Các phép đo TSC của các mức kết hợp trong silicon được cấy ion
Tóm tắt
Các phép đo Dòng Điện Kích Thích Nhiệt (TSC) đã được thực hiện trên các trạng thái sâu trong silicon được cấy ion. Tính chất của các đường cong thu được và mối quan hệ giữa các dòng điện đỉnh và thung lũng rõ ràng loại trừ phân tích thông thường dựa trên sự phát xạ độc lập vào dải hóa trị. Các kết quả đã được phân tích bằng mô hình dựa trên các mức liên kết với các chuyển tiếp giữa các mức và độ phù hợp cho ra các mức năng lượng hợp lý cùng các hệ số kinh nghiệm. Các phép đo được thực hiện bằng cách sử dụng các diode bảo vệ n+ nông được cấy với liều lượng thấp (3×1013 ion/cm2) của các ion B+ 1 MeV và đã được hồi chuyển ở 350°C trong một giờ. Năng lượng được chọn sao cho đầu của đường đi ion sẽ nằm trong vùng cạn kiệt của các diode.
Từ khóa
#TSC #silicon #cấy ion #trạng thái sâu #dòng điện kích thích nhiệt #mô hình mức kết hợpTài liệu tham khảo
G. F. J. Garlick and A. F. Gibson, Proc. Roy. Soc. (London),A60, 574 (1948).
R. R. Haering and E. N. Adams, Phys. Rev.117, 451 (1960).
A. Halperin and A. A. Braner, Phys. Rev.117, 408 (1960).
L. R. Weisberg and H. Schade, J. Appl. Phys.39, 5149 (1968).
H. Schade and D. Herrick, Solid State Electronics12, 857 (1969).
D. E. Davies and S. Roosild, Applied Physics Letters15, 548 (1971).
D. E. Davies and S. Roosild, Proceedings of II International Conference on Ion Implantation in Semiconductors (1971).
M. G. Buehter, Solid State Electronics15, 69 (1972).
J. C. Muller, et al, Solid State Electronics17, 1293 (1974).
J. E. Ludman and W. B. Nowak, Solid State Electronics19, 759 (1976).
R. L. Marchand and C. T. Sah, J. Appl. Phys.48, 336 (1977).
J. E. Ludman and J. L. Sampson, to be published.