Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Hiện tượng vận chuyển trong các hợp chất lớp nhiễu xạ MeBi4Te7 (Me = Ge, Pb, Sn)
Tóm tắt
Các hệ số vận chuyển (hệ số Nernst-Ettingshausen Q123, độ dẫn điện σ11, độ dẫn nhiệt κii, các hệ số Seebeck S11 và S33, và hệ số Hall R213) trong các mẫu hợp chất lớp của chuỗi đồng đẳng AIVBVI-A2VB3VI (AIV = Ge, Sn, Pb; AV = Bi, Sb; BVI = Te), cụ thể là SnBi4Te7 và PbBi4Te7 (có độ dẫn loại n), đã được nghiên cứu thực nghiệm trong khoảng nhiệt độ 77–400 K. Các tinh thể được lớn lên bằng phương pháp Czochralski. Phân tích cho thấy rằng dữ liệu thu được về các hiện tượng vận chuyển trong SnBi4Te7 và PbBi4Te7 có thể được xem xét trong mô hình phổ năng lượng một băng. So sánh các thông số tìm được cho các mẫu định lượng cho thấy rằng mật độ trạng thái electron và phần tỉ lệ electron bị tán xạ tại các ion tạp chất tăng lên khi chuyển từ GeBi4Te7 sang SnBi4Te7 và PbBi4Te7. Được phát hiện rằng việc thêm tạp chất cadmium và bạc vào PbBi4Te7 ảnh hưởng đáng kể đến hệ thống điện tử và phonon, tương tự như việc tạp chất bằng đồng ảnh hưởng đến các tính chất điện và nhiệt của GeBi4Te7.
Từ khóa
#hệ số vận chuyển #Nernst-Ettingshausen #độ dẫn điện #độ dẫn nhiệt #hệ số Seebeck #hệ số Hall #hợp chất lớp #điện tử #ion tạp chất #đặc trưng điện và nhiệtTài liệu tham khảo
M. G. Kanatzidis, in Semiconductors and Semimetals, Ed. by T. M. Tritt (Academic Press, San Diego, San Francisco, New York, Boston, London, Sydney, Tokyo, 2001), vol. 69, p. 51.
L. E. Shelimova, P. P. Konstantinov, and O. G. Karpinsky, J. Alloys Comp. 329, 50 (2001).
L. E. Shelimova, O. G. Karpinsky, P. P. Konstantinov, et al., Inorg. Mater. 38, 790 (2002).
L. E. Shelimova, O. G. Karpinsky, T. E. Svechnikova, et al., Inorg. Mater. 40, 1264 (2004).
O. G. Karpinsky, L. E. Shelimova, M. A. Kretova, et al., Inorg. Mater. 39, 240 (2003).
V. L. Kuznetsov, L. A. Kuznetsova, and D. M. Rowe, J. Phys. D: Appl. Phys. 34, 700 (2001).
T. B. Zhukova, V. A. Kutasova, L. S. Parfen’eva, and I. A. Smirnov, Neorg. Mater. 10, 2221 (1974).
M. K. Zhitinskaya, S. A. Nemov, A. A. Mukhtarova, L. E. Shelimova, T. E. Svechnikova, and P. P. Konstantinov, Semiconductors 44, 729 (2010).
M. K. Zhitinskaya, S. A. Nemov, L. E. Shelimova, and T. E. Svechnikova, Phys. Solid State 50, 1215 (2008).
Yu. I. Ravich, V. A. Efimova, and I. A. Smirnov, Investigation Methods of Semiconductors in Application to Plumbum Halcogenids PbTe, PbSe and PbS (Nauka, Moscow, 1968) [in Russian].