Transconductance in nitride-gate or oxynitride-gate transistors

IEEE Electron Device Letters - Tập 20 Số 1 - Trang 57-59 - 1999
M. Khare1, X.W. Wang1, T.P. Ma1
1Center for Microelectronic Materials and Structures, Department of Electrical Engineering, Yale University, New Heaven, CT, USA

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

khare, 0, ultra-thin silicon nitride gate dielectric for deep-sub-micron cmos devices, 1997 Symp VLSI Tech Dig, 51

10.1109/23.277495

10.1109/16.491252

10.1109/16.661229

10.1109/55.541766

wang, 0, effect of water vapor annealing on devices with nitride/oxynitride gate, 1996 Symp VLSI Tech Dig, 226

10.1109/IEDM.1990.237225

10.1109/16.57169

Thông tin
Thông tin xuất bản

IEEE Electron Device Letters

Tập 20 Số 1

57-59

Thông tin tác giả