Thermal expansion of AlN, sapphire, and silicon

Journal of Applied Physics - Tập 45 Số 3 - Trang 1456-1457 - 1974
Woosoon Yim1, R. J. Paff1
1RCA Laboratories, Princeton, New Jersey 08540

Tóm tắt

Thermal expansion coefficients of high-purity AlN, sapphire, and silicon were calculated from the data obtained with precision high-temperature x-ray lattice parameter measurements. The mean thermal expansion coefficients obtained in the range 20–800°C are α⊥ = 5.3 × 10−6/°C and α∥ = 4.2 × 10−6/°C for AlN, α⊥ = 7.3 × 10−6/°C and α∥ = 8.1 × 10−6/°C for α-Al2O3, and α = 3.6 × 10−6/°C for Si.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

1973, J. Electron. Mater., 2, 359, 10.1007/BF02666163

1973, Appl. Phys. Lett., 23, 55, 10.1063/1.1654804

1968, Appl. Phys. Lett., 13, 286, 10.1063/1.1652613

1973, J. Appl. Phys., 44, 292, 10.1063/1.1661876

1971, J. Electrochem. Soc., 118, 1864, 10.1149/1.2407853

1959, J. Am. Ceram. Soc., 42, 53, 10.1111/j.1151-2916.1959.tb14066.x

1960, J. Electrochem. Soc., 107, 308, 10.1149/1.2427686

1970, J. Appl. Phys., 41, 3926, 10.1063/1.1658389

1972, J. Appl. Phys., 43, 3760, 10.1063/1.1661805

1962, J. Am. Ceram. Soc., 45, 319, 10.1111/j.1151-2916.1962.tb11159.x

1961, Acta. Crystal., 14, 1004

1952, J. Appl. Phys., 23, 330, 10.1063/1.1702202

1964, J. Phys. Chem., 68, 3021, 10.1021/j100792a049

Thông tin
Thông tin xuất bản

Journal of Applied Physics

Tập 45 Số 3

1456-1457

Thông tin tác giả