Tiến hóa nhiệt của hình thái bề mặt Ni/Ge(111)-c(2 × 8)

Sự tiến hóa nhiệt của giao diện hình thành từ việc lắng đọng Ni ở nhiệt độ phòng (RT) (độ phủ 0.1, 0.5, 1.2 ML) lên bề mặt Ge(111)-c(2 × 8) đã được nghiên cứu bằng kỹ thuật hiển vi quét tĩnh điện (STM). Ảnh STM với độ phân giải nguyên tử cho thấy, tại RT, ranh giới giữa các miền c(2 × 8) khác nhau hoạt động như các điểm nhân nucleation cho các nguyên tử Ni. Sau khi tôi nhiệt bề mặt với vật liệu đã lắng đọng ở nhiệt độ từ 473 đến 673 K, sự hình thành các đảo nano của các hợp chất NixGey đã được quan sát. Ngoài ra, sự xuất hiện của các cấu trúc dạng vòng cũng đã được ghi nhận. Dựa trên các hình ảnh có độ phân cực đôi, các cấu trúc dạng vòng này được xác định là các nguyên tử Ni hấp phụ trên các nguyên tử Ge adatoms.