Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Cấu trúc bề mặt Si (211)
Tóm tắt
Silicon (211) đã được đề xuất như một cơ sở thay thế cho sự phát triển tinh thể lớp CdTe/HgCdTe bằng phương pháp tia phân tử. Silicon có những lợi thế rõ rệt so với các cơ sở khác nhờ vào chi phí thấp, độ bền cao và hệ số giãn nở nhiệt khớp với mạch tích hợp silicon. Hướng (211) đã cho thấy khả năng tạo ra các lớp CdTe và HgCdTe/CdTe có chất lượng cao hơn so với các hướng khác. Việc tái cấu trúc và tạo hình bề mặt Si (211) chưa được hiểu rõ mặc dù hướng (211) rất quan trọng. Kết quả từ các nghiên cứu nhiễu xạ electron năng lượng thấp (LEED) đã cho những thông tin mâu thuẫn và các kết luận của chúng không nhất quán với các nghiên cứu gần đây sử dụng kính hiển vi quét đường hầm (STM). Hình ảnh LEED và STM đã được sử dụng để xác định cấu trúc mặt cắt bề mặt Si (211) có khả năng xảy ra nhất tùy thuộc vào nhiệt độ ủ. Các mẫu được ủ ở nhiệt độ cao (tức là >1260°C) đã cho phép hình thành các mẫu điểm LEED có trật tự, trái ngược với các vệt thường được báo cáo
$$[\bar 111]$$
. Mẫu hình trong hướng
$$[0\bar 11]$$
đã cho thấy một sự tái cấu trúc nhất quán 2× (7.68 Å).
Từ khóa
#Silicon #bề mặt Si (211) #CdTe #HgCdTe #phát triển tinh thể lớp #nhiễu xạ electron năng lượng thấp #quét đường hầmTài liệu tham khảo
T.J. de Lyon, S.M. Johnson, C.A. Cockrum, O.K. Wu, W.J. Hamilton, and G.S. Kamath, J. Electrochem. Soc. 141, 2888 (1994).
M. Kawano, A. Ajisawa, N. Nagashima, and H. Wada, Appl. Phys. Lett. 69, 2876 (1996).
A. Million, N.K. Dhar, and J.H. Dinan, J. Cryst. Growth 159, 76 (1996).
S. Rujirawat, D.J. Smith, J.P. Faurie, G. Neu, V. Nathan, and S. Sivananthan, J. Electron. Mater. 27, 1047 (1998).
T.J. de Lyon, D. Rajavel, S.M. Johnson, and C.A. Cockrum, Appl. Phys. Lett. 66, 2119 (1995).
B. Yang, Y. Xin, S. Rujirawat, N.D. Browning, and S. Sivananthan, J. Appl. Phys. 88, 115 (2000).
X.S. Wang and W.H. Weinberg, Surf. Sci. 314, 71 (1994).
R. Kaplan, Surf. Sci. 116, 104 (1982).
D.J. Chadi, Phys. Rev. B 29, 789 (1984).
A.A. Baski and L.J. Whitman, Phys. Rev. Lett. 74, 956 (1995).
D. Zavitz, A. Evstigneeva, R. Singh, C. Fulk, and M. Trenary, J. Electron. Mater. 34, 6 (2005).
A.A. Baski and L.J. Whitman, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 1469 (1995).
A.A. Baski, S.C. Erwin, and L.J. Whiteman, Science 269, 1556 (1995).
A.S. Sun, K.M. Jones, and A.A. Baski, in Cluster and Nanostructure Interfaces, edited by P. Jena, S.N. Khanna, and B.K. Rao (Singapore: World Scientific, 2000) pp. 607–612.
S. Prasenjit, I.P. Batra, S. Sivananthan, and C.H. Grein, Phys. Rev. B 68, 045314 (2003).
C. Bikash, I.P. Batra, and S. Sivananthan, Phys. Rev. B 71, 075328 (2005).
B.Z. Olshanetsky and V.I. Mashanov, Surf. Sci. 111, 414 (1981).
S.L. Wright, H. Kroemer, and M. Inada, J. Appl. Phys. 55, 2916 (1984).
C.H. Grein, J. Cryst. Growth 180, 54 (1997).
LEED I-V curves, however, do have this ability. This article focuses only on geometric arguments of identifying the symmetry of the Si(211) surface.
H. Wagner, Physical and Chemical Properties of Stepped Surfaces: Tracts in Modern Physics (Berlin: Springer-Verlag) Vol. 85.
W. Kern, J. Electrochem. Soc. 137, 1887 (1990).
R.M. Feenstra and J.A. Stroscio, Phys. Rev. Lett. 59, 2173 (1987).
J. Knall, Phys. Rev. Lett. 66, 1733 (1991).