Công bố khoa học
Công cụ trích dẫn
Công bố khoa học
Trích dẫn
Tạp chí khoa học
Cơ quan đơn vị
Quản lý tài khoản
Danh mục đã lưu
Đăng xuất
The dependence of drain-induced barrier lowering on substrate biasing in short channel PMOS devices at 77 K
Solid-State Electronics
- Tập 33
- Trang 1265-1273
- 1990
Z.X. Yan
1
,
M.J. Deen
1
1
School of Engineering Science, Simon Fraser University, Burnaby, British Columbia, Canada V5A 1S6
Đi đến bài gốc
Trích dẫn
Lưu lại
Báo lỗi
Tài liệu tham khảo
Thông tin
DOI
:
10.1016/0038-1101(90)90029-e
Thông tin xuất bản
Nhà xuất bản:
Solid-State Electronics
Tập/Số:
Tập 33
Trang:
1265-1273
Thông tin tác giả