Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Sự phụ thuộc nhiệt độ của điện năng nhiệt điện trong n-InSb dưới trường từ lượng tử ở phương ngang
Tóm tắt
Điện năng nhiệt điện trong n-InSb dưới trường từ lượng tử ở phương ngang đã được nghiên cứu trong khoảng nhiệt độ từ 67 đến 160 K. Sự phụ thuộc của thành phần điện tử của điện năng nhiệt điện vào trường từ được giải thích dựa trên lý thuyết lượng tử với việc xem xét sự tách spin của các mức độ Landau.
Từ khóa
#n-InSb #điện năng nhiệt điện #trường từ lượng tử #mức độ LandauTài liệu tham khảo
Kh. A. Amirkhanov, R. I. Bashirov, and M. M. Gadzhialiev, Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 3, 3743 (1961) [Sov. Phys. Solid State 3, 2713 (1962)].
I. V. Mochan, Yu. N. Obraztsov, and T. V. Smirnova, Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 4, 1021 (1962) [Sov. Phys. Solid State 4, 754 (1962)].
I. L. Drichko and I. V. Mochan, Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 6, 1902 (1964) [Sov. Phys. Solid State 6, 1498 (1964)].
S. M. Puri and T. H. Geballe, Phys. Rev. 136, 1767 (1964).
S. M. Puri, Phys. Rev. 139, 995 (1965).
A. N. Ansel’m and R. G. Tarkhanyan, Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 6, 3357 (1964) [Sov. Phys. Solid State 6, 2685 (1965)].
I. M. Tsidil’kovskii, Electrons and Holes in Semiconductors (Nauka, Moscow, 1972).
V. M. Askerov, Electronic Transport Phenomena in Semiconductors (Nauka, Moscow, 1985).
M. M. Gadzhialiev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 6, 754 (1972) [Sov. Phys. Semicond. 6, 653 (1972)].
M. M. Gadzhialiev, Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved., Fiz., No. 4, 104 (1997).
M. M. Gadzhialiev and V. G. Badyul, Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved., Fiz., No. 2, 97 (2000).