Thiết kế độ dốc nhiệt và đặc tính quang của tinh thể SrI2 và SrI2:Eu được nuôi trồng bằng phương pháp lớn lên phim theo biên (EFG)

Journal of Electronic Materials - Tập 48 - Trang 991-996 - 2018
Qian Yao1, Junying Zhang1, Lintao Liu1, Weimin Dong1, Jing Li1, Jiyang Wang1
1State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China

Tóm tắt

Trong nghiên cứu này, các tinh thể đơn phần SrI2 và SrI2:Eu5% với kích thước Ø10 × 60 mm³ và Ø10 × 30 mm³ đã được nuôi trồng thành công bằng phương pháp lớn lên phim theo biên (EFG). Trong quá trình nuôi trồng tinh thể, các vết nứt và đục mờ của tinh thể đã được giải quyết bằng cách thiết kế một trường nhiệt độ, từ đó tối ưu hóa chất lượng tinh thể và thu được các tinh thể không có vết nứt. Phân tích nhiễu xạ tia X đã được thực hiện trên các tinh thể đã nuôi trồng, và các đặc tính quang của những tinh thể này đã được điều tra ở nhiệt độ phòng. Dưới sự kích thích của ánh sáng cực tím (UV), các tinh thể thể hiện một đỉnh phát quang đơn nằm ở 435 nm (λex = 350 nm), và thời gian suy tán phát quang (PL) là 0.594 μs. Ngoài ra, trường nhiệt độ được thiết kế cũng cung cấp giá trị tham khảo cho các tinh thể khác được nuôi trồng bằng phương pháp EFG.

Từ khóa

#SrI2 #SrI2:Eu5% #nuôi trồng tinh thể #phương pháp lớn lên phim theo biên (EFG) #đặc tính quang #phát quang

Tài liệu tham khảo

E.V.D. van Loef, P. Dorenbos, C.W.E. van Eijk, K. Krämer, and H.U. Güde, Appl. Phys. Lett. 79, 1573 (2001). K.S. Shah, J. Glodo, M. Klugerman, W.M. Higgins, T. Gupta, and P. Wong, IEEE Trans. Nucl. Sci. 51, 2395 (2004). N.J. Cherepy, S.A. Payne, S.J. Asztalos, and G. Hull, IEEE Trans. Nucl. Sci. 56, 873 (2010). R. Hofstadter, Phys. Rev. 74, 100 (1948). M. Nikla, A. Yoshikawab, A. Veddac, and T. Fukudab, J. Cryst. Growth 292, 416 (2006). N.J. Cherepy, G. Hull, A. Drobshoff, S.A. Payne, E. van Loef, C. Wilson, K. Shah, U.N. Roy, A. Burger, L.A. Boatner, W.-S. Choong, and W.W. Moses, Phys. Lett. 92, 083508 (2008). C.M. Wilson, E.V. Van Loef, J. Glodo, N. Cherepy, G. Hull, S. Payne, W.S. Choong, W. Moses, and K.S. Shah, Proc. SPIE 7079, 707917 (2008). R. Hawrami, A. Burger, M.D. Aggarwal, N.J. Cherepy, and S.A. Payne, Proc. SPIE 7079, 70790Y (2008). C. Guguschev, G. Calvert, S. Podowitz, A. Vailionis, A. Yeckel, and R.S. Feigelson, J. Cryst. Growth 404, 231 (2014). G. Calvert, C. Guguschev, A. Burger, M. Groza, J.J. Derby, and R.S. Feigelson, J. Cryst. Growth 455, 143 (2016). Y. Yokota, K. Nishimoto, S. Kurosawa, D. Totsuka, and A. Yoshikawa, J. Cryst. Growth 375, 49 (2013). K. Yang, M. Zhuravleva, and C.L. Melcher, J. Lumin. 132, 1824 (2012). N.V. Rebrova, A.Y. Grippa, A.S. Pushak, T.E. Gorbacheva, V.Yu. Pedash, O.G. Viagin, V.L. Cherginets, V.A. Tarasov, V.V. Vistovskyy, A.P. Vas’kiv, and S.V. Myagkota, J. Cryst. Growth 466, 39 (2017). L. Stand, M. Zhuravleva, B. Chakoumakos, J. Johnson, M. Loyd, Y. Wu, M. Koschan, and C.L. Melcher, J. Cryst. Growth 486, 162 (2018).