Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu ảnh hưởng của độ chệch nền lên các tính chất điện của màng mỏng HfO2 được phun mù trên nền silicon
Emerald - 2007
Tóm tắt
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
Garg, R., Chowdhury, N.A. and Misra, D. (2004), J Electrochem Soc, Vol. 151, p. 1.
Gruger, H., Kunath, Ch., Kurth, E., Sorge, S., Pufe, W. and Pechstein, T. (2004), Thin Solid Films, Vol. 447, p. 509.
Homma, Y. and Tsunekawa, S. (1985), J Electro Chem. Soc, Vol. 132, p. 1466.
Housa, M. (2004), High k Gate Dielectric, Chapter 1, IPO, Bristal.
International Technology Road Map for Semiconductors (1999), International Technology Road Map for Semiconductors, SanJose, CA, 105.
Lee, B.H., Kang, L. and Lee, J.C. (2000), Appl. Phys Lett, Vol. 76, p. 1926.
Pereira, L., Marques, A., Aguas, H., Netev, N., Georgiev, S., Fortunato, E. and Martins, R. (2004), Mat. Sci. & Engg B, Vol. 109, p. 89.
Puthenkovilakam, R., Sawkar, M. and Chang, J.P. (2005), Appl Phys Lett, Vol. 86, p. 202902.
Robertson, J. (2005), Solid State Electronics, Vol. 49, p. 283.
Sen, B., Sarkar, C.K., Wong, H., Chan, M. and Kok, C.W. (2006), Solid State Elect., Vol. 50, p. 237.
Wilk, G.D., Wallance, R. and Anthony, G. (2001), J Appl. Phys, Vol. 87, p. 5243.
Wong, H., Ng, K.L., Poon, M.C. and Kok, C.W. (2004), J Vac Sci & Techno, Vol. B22, p. 1094.