Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu bề mặt InSe(0001) sạch ở cấp độ nguyên tử bằng quang phổ điện tử tia X
Tóm tắt
Bề mặt (0001) của tinh thể bán dẫn InSe đa lớp được nghiên cứu thực nghiệm bằng quang phổ điện tử tia X và lý thuyết trong bối cảnh phương pháp chức năng mật độ electron với điều kiện biên chu kỳ. Kết quả cho thấy cấu trúc của lớp bề mặt nguyên tử và trạng thái của chúng có nhiều điểm tương đồng với cấu trúc tương ứng và trạng thái trong thể tích. Bề mặt InSe(0001) có khả năng chống chịu tốt trước sự tiếp xúc lâu dài với không khí, điều này làm cho vật liệu này có triển vọng ứng dụng như một tiêu chuẩn cho phân tích thành phần khi sử dụng quang phổ electron.
Từ khóa
#InSe #bề mặt nguyên tử #quang phổ điện tử tia X #chức năng mật độ electron #bán dẫnTài liệu tham khảo
Liu, K.Y., Ueno, K., Fujikawa, Y., Saiki, K., and Koma, A., Heteroepitaxial Growth of Layered Semiconductor GaSe on a Hydrogen-Terminated Si(111) Surface, Jpn. J. Appl. Phys., 1993, vol. 32, p. L434.
Le Thanh, V., Eddrief, M., Sebenne, C., Sacuto, A., and Balkanski, M., Heteroepitaxy of GaSe Layered Semiconductor Compound on Si(111) 7 × 7 Substrate: a van der Waals Epitaxy?, J. Cryst. Growth, 1994, vol. 135, p. 1.
Sánchez-Royo, J.F., Segura, A., Lang, O., Schaar-Gabriel, E., Pettenkofer, C., Jaegermann, W., Roa, L., and Chevy, A., Optical and Photovoltaic Properties of InSe Thin Films Prepared by Van Der Waals Epitaxy, J. Appl. Phys., 2001, vol. 90, p. 2818.
Tiefenbacher, S., Sehnert, H., Pettenkofer, C., and Jaegermann, W., Epitaxial Films of WS2 by Metal Organic van der Waals Epitaxy, Surf. Sci. Lett., 1994, vol. 318, p. L1161.
Löher, T., Ueno, K., and Koma, A., Heteroepitaxial Growth of Lattice Mismatched Materials Using Layered Compound Buffer Layers, Appl. Surf. Sci., 1998, vol. 130–132, p. 334.
Ullrich, B., Koma, A., Löher, T., and Kobayashi, T., Optical and Hybrid Properties of the ZnSe/InSe/Si Heterojunction, Solid State Commun., 1998, vol. 107, p. 209.
Micocci, G., Serra, A., and Tepore, A., Electrical Properties of n-GaSe Single Crystals Doped with Chlorine, J. Appl. Phys., 1997, vol. 82, p. 2365.
Aydinli, A., Gasanly, N.M., and Göksen, K., Donor-Acceptor Pair Recombination in Gallium Sulfide, J. Appl. Phys., 2000, vol. 88, p. 7144.
Xin, Q.S., Conrad, S., and Zhu, X.Y., The Deposition of a GaS Epitaxial Film on GaAs Using an Exchange Reaction, J. Appl. Phys., 1996, vol. 69, p. 1244.
Hariskos, D., Spiering, S., and Powalla, M., Buffer Layers in Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells and Modules, Thin Solid Films, 2005, vol. 480–481, p. 99.
Cuculescu, E., Evtodiev, I., Caraman, M., and Rusu, M., Study on the Absorption Spectra and Extrinsic Photoconductivity of Cu and Cd Doped GaSe Single-Crystal Films, J. Optoelectron. Adv. Mater., 2006, vol. 8, p. 1077.
Liu, K., Xu, J., and Zhang, X.-C., Broadband Terahertz Wave Detection with GaSe Crystals, Appl. Phys. Lett., 2004, vol. 85, p. 863.
Balkanski, M. and Wallis, R.F., Semiconductor Physics and Applications, New York: Oxford University Press, 2000.
Levy, F., Crystallography and Crystal Chemistry of Materials with Layered Structures, Dordrecht: Reidel, 1976.
Lifkorman, A., Carre, D., Etienne, J., and Bachet B., Structure cristalline du monoseleniure d’indium InSe, Acta Crystallogr., Sect. B: Struct. Sci., 1975, vol. 31, p. 1252.
Shtanov, V.I. and Yashina, L.V., On the Bridgman Growth of Lead-Tin Selenide Crystals with Uniform Tin Distribution, J. Cryst. Growth, 2009, vol. 311, p. 3257.
Gaussian 09, Revision A.02, Wallingford, Conn.: Gaussian, Inc., 2009.
Ohno, M., Particle-Hole Interaction Effect on a Core-Level XPS Spectrum II, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 2000, vol. 107, p. 113.
Moretti, G., Auger Parameter and Wagner Plot in the Characterization of Chemical States by X-Ray Photo-electron Spectroscopy: A Review, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 1998, vol. 95, p. 95.
Briggs, D. and Grant, J.T., Surface Analysis by Auger and X-Ray Photoelectron Spectroscopy, Chichester: IMPublications & Surface Spectra, 2003.